Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

SIA429DJT-T1-GE3

Name: Vishay SIA429DJT-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SIA429DJT-T1-GE3
Price: 0.81 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

781-SIA429DJT-T1-GE3

Mfr. #:

SIA429DJT-T1-GE3

Gam.:

Vishay Semiconductors

Aprašymas:

MOSFETs -20V Vds 8V Vgs Thin PowerPAK SC-70

Duomenų Lapas:

SIA429DJT-T1-GE3 Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Vishay Semiconductors SIA429DJT-T1-GE3

Prieinamumas: 3 210

Turime sandėlyje:: 3 210 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Pakuotė:

Visa Ritė (Užsakoma po 3000)

Pjaunama Juosta

"MouseReel"™ (+5,00 €)

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“ ^†
	0,817 €	0,82 €
	0,506 €	5,06 €
	0,329 €	32,90 €
	0,252 €	126,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 3000)
	0,20 €	600,00 €
	0,187 €	1 122,00 €

† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Vishay
Gaminio kategorija:	MOSFETs
RoHS:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	SC-70-6
Tranzistoriaus poliškumas:	P-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	20 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	12 A
RDS On - Drain-Source Varža:	20.5 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 8 V, 8 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	1 V
Qg – vartų krūvis:	62 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	3.5 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekinis pavadinimas:	TrenchFET, PowerPAK
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Pakavimas:	MouseReel
Prekės Ženklas:	Vishay Semiconductors
Configuration:	Single
Gaminio tipas:	MOSFETs
Serija:	SIA
Gamyklinės pakuotės kiekis:	3000
Subkategorija:	Transistors
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai:	SIA429DJT-GE3

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

SIA429DJT-T1-GE3 Duomenų Lapas

Models

PCN

Product Change Notification (PDF)

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

Reglamentavimo kodai

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

Klasifikacija pagal kilmę

Kilmės šalis:: Kinija
Šalis, kurioje pagaminta:: Ne
Distribucijos šalis:: Ne

Šalis gali keistis siuntimo metu.

SiA429DJT 20V P-Channel MOSFETs

Vishay / Siliconix SiA429DJT 20V P-Ch TrenchFET^® Power MOSFETs offer a low on-resistance for a P-Channel device with a sub-0.8mm profile. Vishay / Siliconix SiA429DJT TrenchFET Power MOSFETs come in a thermally enhanced Thin PowerPAK® SC-70 package with an ultra-low 0.6mm profile. The SiA429DJT is ideal for DC/DC converters and load and charger switches. The lower on-resistance translates into lower conduction losses.