PWD5F60 High Density Power Driver

STMicroelectronics PWD5F60 High Density Power Driver combines gate drivers and four N-channel power MOSFETs in a dual half-bridge configuration into a single, compact System-in-Package (SiP) device. The integrated power MOSFETs have a drain-source on resistance, or RDS(ON), of 1.38Ω and a drain-source breakdown voltage of 600V. The high side for the embedded gate drivers can be easily supplied by the integrated bootstrap diode. The high integration of the PWD5F60 Power Driver enables efficient drive loads in space-constrained applications.

Rezultatai: 2
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Gaminys
Tipas
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Vairuotojų skaičius
Išėjimų skaičius
Išvesties Srovė
Maitinimo Įtampa - Min.
Maksimali Maitinimo Įtampa
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Serija
Pakavimas
STMicroelectronics Gate Tvarkyklės High-density power driver - High voltage full bridge with integrated comparators
Duomenų Lapas
330Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT VFQFPN-15 2 Driver 2 Output 3.5 A 10 V 20 V - 40 C + 125 C PWD5F60 Tray
STMicroelectronics Gate Tvarkyklės High-density power driver - High voltage full bridge with integrated comparators
Duomenų Lapas
403Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 500

MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT VFQFPN-15 2 Driver 2 Output 3.5 A 10 V 20 V - 40 C + 125 C PWD5F60 Reel, Cut Tape