Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

RQ3G120BKFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ3G120BKFRATCB
Price: 1.38 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

755-RQ3G120BKFRATCB

Mfr. #:

RQ3G120BKFRATCB

Gam.:

ROHM Semiconductor

Aprašymas:

MOSFETs HSMT8 N CHAN 40V

Eksploatacijos Laikotarpis:

Naujas Produktas:

Naujiena iš šio gamintojo.

Duomenų Lapas:

RQ3G120BKFRATCB Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRATCB

Prieinamumas: 2 240

Turime sandėlyje:: 2 240 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 16 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	1,38 €	1,38 €
	0,877 €	8,77 €
	0,581 €	58,10 €
	0,457 €	228,50 €
	0,417 €	417,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 3000)
	0,378 €	1 134,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	ROHM Semiconductor
Gaminio kategorija:	MOSFETs
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	HSMT-8
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	40 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	12 A
RDS On - Drain-Source Varža:	17.4 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 20 V, 20 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	2.5 V
Qg – vartų krūvis:	8.5 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	40 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Kvalifikacija:	AEC-Q101
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Prekės Ženklas:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Gamybos šalis:	Not Available
Distribucijos šalis:	Not Available
Kilmės šalis:	JP
Rudens laikas:	5 ns
Gaminio tipas:	MOSFETs
Kilimo Laikas:	7 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	3000
Subkategorija:	Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	16 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	7 ns
Tranzistoriaus tipas:	1 N-Channel

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

RQ3G120BKFRATCB Duomenų Lapas

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

RQ3G120BKFRA 40V N-Channel Power MOSFET

ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40V N-Channel Power MOSFET is a 40V drain-source voltage (V_DSS) and ±12A continuous drain current (I_D) rated automotive-grade MOSFET that is AEC-Q101 qualified. The drain-source on-state resistance [R_DS(ON)] is 17.4mΩ (max.) (V_GS = 10V, I_D = 12A) and comes in a 3.3mm x 3.3mm HSMT8AG package. The ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA MOSFET is ideal for ADAS, information, lighting, and body applications.