W957D8MFYA5I TR

Winbond
454-W957D8MFYA5ITR
W957D8MFYA5I TR

Gam.:

Aprašymas:
DRAM 128Mb HyperRAM x8, 200MHz, Ind temp, 1.8V, T&R

Eksploatacijos Laikotarpis:
Patikrinkite Būseną su Gamykla:
Informacija apie eksploatacijos laiką neaiški. Norėdami patikrinti, ar gamintojas gali pateikti šį numerį, gaukite pasiūlymą.
ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 1 950

Turime sandėlyje:
1 950 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
53 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Didesniam nei 1950 kiekiui taikomi minimalaus užsakymo reikalavimai.
Pranešama apie ilgą šio gaminio pristatymo laiką.
Min. 1   Užsakoma po 1   Maks. 100
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
6,58 € 6,58 €
Visa Ritė (Užsakoma po 2000)
6,58 € 13 160,00 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
Winbond
Gaminio kategorija: DRAM
RoHS:  
HyperRAM
128 Mbit
8 bit
200 MHz
TFBGA-24
16 M x 8
1.7 V
2 V
- 40 C
+ 85 C
Reel
Cut Tape
Prekės Ženklas: Winbond
Jautrus drėgmei: Yes
Montavimo stilius: SMD/SMT
Gaminio tipas: DRAM
Gamyklinės pakuotės kiekis: 2000
Subkategorija: Memory & Data Storage
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Reglamentavimo kodai
CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320002
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99
Klasifikacija pagal kilmę
Kilmės šalis:
Taivanas
Šalis, kurioje pagaminta:
Ne
Distribucijos šalis:
Ne
Šalis gali keistis siuntimo metu.

Low Power HYPERRAM®

Winbond Low Power HYPERRAMs® are mobile DRAM with a high-speed SDRAM device internally configured as an 8-bank memory and uses a Double Data Rate (DDR) architecture on the Command/Address (CA) bus. This HYPERRAM features low pin count, low power consumption, and easy control to improve the performance of end devices. These IoT edge devices and human-machine interface devices require functionality in size, power consumption, and performance. These HYPERRAM memory devices provide technical solutions and address the rapid rise of IoT edge devices and human-machine interface devices. These HYPERRAMs offer 45mW power at 1.8V in hybrid sleep mode, significantly different from the standby mode of SDRAM. The HYPERRAM supports the HyperBus interface and is a solution to address the rapid rise of automotive electronics, industrial 4.0, and smart home applications.