R60/R65 N-Ch Power MOSFETs

ROHM Semiconductor R60/R65 N-Ch Power MOSFETs provide a single channel output with 600V or 650V drain-source voltage in TO-220FM-3/SOT-223-3 packages. The R60/R65 MOSFETs have an operating temperature from -55°C to 150°C/155°C and power dissipation options of 7.8W, 6.6W, 12.3W, 9.1W, 40W, 46W, 48W, 53W, 68W, 74W, or 86W. The R60/R65 N-Ch Power MOSFETs are ideal for switching applications.

Rezultatai: 56
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Pakavimas
ROHM Semiconductor MOSFETs TO247 650V 258A N-CH MOSFET
Duomenų Lapas
553Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 600 V 258 A 44 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 110 nC - 55 C + 150 C 781 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 600V 33A, TO-3PF, Power MOSFET: R6086YNZ is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
Duomenų Lapas
600Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 33 A 44 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 110 nC + 150 C 114 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO252 600V 7A N-CH MOSFET
Duomenų Lapas
5 000Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 620 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs TO252 600V 9A N-CH MOSFET
Duomenų Lapas
4 949Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 535 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 94 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs TO247 650V 60A N-CH MOSFET
Duomenų Lapas
600Tikėtina 2026-07-22
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 185 mOhms - 20 V, 20 V 6 V 28 nC - 55 C + 150 C 182 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 650V 11A N-CH MOSFET
Duomenų Lapas
Vykdymo Laikas 18 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 400 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement Tube