Automotive U-MOSX-H MOSFETs

Toshiba Automotive U-MOSX-H MOSFETs are AEC-Q101 qualified with low drain-source on-resistance. These devices feature a low leakage current of IDSS = 10µA (max) (VDS = 100V). The Toshiba Automotive U-MOSX-H MOSFETs are ideal for automotive, switching voltage, regulators, DC-DC converters, and motor drivers.

Rezultatai: 2
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Kvalifikacija
Pakavimas
Toshiba MOSFETs N-ch MOSFET, 80 V, 0.0019 O@10V, SOP Advance(E), U-MOS?-H
Duomenų Lapas
3 341Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 80 V 238 A 1.9 mOhms 20 V 3.5 V 108 nC + 175 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Duomenų Lapas
Produkto pastabos
202Prieinamumas
1 000Tikėtina 2026-06-26
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT TO-220SM-3 N-Channel 1 Channel 100 V 160 A 1.92 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 184 nC + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape