Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

Grįžti į Paieškos Rezultatus

Matote Klaidą?

CGHV35400F1

Name: MACOM CGHV35400F1
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV35400F1
Price: 1069.32 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

941-CGHV35400F1

Mfr. #:

CGHV35400F1

Gam.:

MACOM

Aprašymas:

GaN FET Amplifier,400W,GaN HEMT, 50V,2.9-3.5GHz

Duomenų Lapas:

CGHV35400F1 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie MACOM CGHV35400F1

Įspėjimas dėl siuntimo:

Norint eksportuoti šį produktą iš Jungtinių Amerikos Valstijų gali prireikti papildomų dokumentų.

Prieinamumas: 40

Turime sandėlyje:: 40 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 26 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Didesniam nei 40 kiekiui taikomi minimalaus užsakymo reikalavimai.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	1 069,32 €	1 069,32 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	MACOM
Gaminio kategorija:	GaN FET
Siuntimo apribojimai:	Norint eksportuoti šį produktą iš Jungtinių Amerikos Valstijų gali prireikti papildomų dokumentų.
RoHS:
Montavimo stilius:	Screw Mount
Pakuotė / Korpusas:	440225
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	125 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	24 A
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	3 V
Minimali darbinė temperatūra:	- 40 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 125 C
Prekės Ženklas:	MACOM
Gain:	11 dB
Didžiausias darbinis dažnis:	3.5 GHz
Minimalus darbinis dažnis:	2.9 GHz
Išvesties Galia:	400 W
Pakavimas:	Tray
Gaminio tipas:	GaN FETs
Gamyklinės pakuotės kiekis:	10
Subkategorija:	Transistors
Technologijos:	GaN
Tranzistoriaus tipas:	GaN HEMT
Vgs - užtūros-šaltinio pramušimo įtampa:	- 10 V, 2 V

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

CGHV35400F1 Duomenų Lapas (PDF)

PCN

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: 3A001.b.3.a.3

CGHV35400F 400W 50Ω I/O Matched GaN HEMT

MACOM CGHV35400F 400W 2.9GHz to 3.5GHz, 50Ω I/O Matched GaN HEMT for S-Band radar amplifier applications offers high efficiency, high gain, and vast bandwidth capabilities. The CGHV35400F transistor is matched to 50Ω on the input and 50Ω on the output.