FRDMGD3160HB8EVM

NXP Semiconductors
771-FRDMGD3160HB8EVM
FRDMGD3160HB8EVM

Gam.:

Aprašymas:
Power Management IC Development Tools Half-Bridge Evaluation Board for P6 IGBT/SiC Modules

Prieinamumas

Turime sandėlyje:
Ne Sandėlyje Esantys
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
15 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
478,63 € 478,63 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
NXP
Gaminio kategorija: Power Management IC Development Tools
RoHS: N
Evaluation Boards
Gate Driver
25 V
GD3160
GD3160
Prekės Ženklas: NXP Semiconductors
Gaminio tipas: Power Management IC Development Tools
Gamyklinės pakuotės kiekis: 1
Subkategorija: Development Tools
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai: 935437116598
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

TARIC:
8473302000
USHTS:
8471500150
ECCN:
EAR99

FRDM Development Boards

NXP Semiconductors FRDM Development Boards include low-cost, compact MCU and MPU boards with an easy development journey and an extensive ecosystem to simplify user designs. The FRDM ecosystem includes comprehensive software/tools, modular hardware, and access to solution-driven examples.

FRDMGD3160HB8EVM Evaluation Kit

NXP Semiconductors FRDMGD3160HB8EVM Evaluation Kit is a demonstration and development platform for the GD3160 Single-Channel Gate Drivers. The GD3160 Gate Drivers are designed to drive SiC and IGBT modules for xEV traction inverters, OBC, and DC-DC converters. The GD3160 features integrated galvanic isolation, a programmable interface via SPI, and advanced programmable protection options, such as over-temperature, desaturation, and current sense protection. The GD3160 Gate Drivers capably drive SiC MOSFETs and IGBT gates directly utilizing high-performance switching, low dynamic on-resistance, and rail-to-rail gate voltage control.