DTMOSV Super Junction MOSFETs

Toshiba DTMOSV Super Junction MOSFETs are N-channel, deep trench semiconductor technology for high-efficient power MOSFETs. The DTMOSV operates with lower EMI noise, and a 17% reduction On-Resistance RDS(ON) compared to the DTMOSIV MOSFETs. The DTMOSV has a deep trench etching process, that results in a narrowing of cell pitch, and a lowering of RDS(ON) when compared with more conventional planar processes. DTMOSV Super Junction MOSFETs are ideal to improve performance and facilitate the design of power conversion applications. Applications include switching power supplies, power factor correction (PFC) designs, and LED lighting.

Rezultatai: 12
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Prekinis pavadinimas
Pakavimas
Toshiba MOSFETs N-Ch DTMOSV 600V 60W 380pF 7.0A
Duomenų Lapas
1 900Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 560 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement DTMOSV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs N-Ch DTMOSV 600V 35W 730pF 11.5A
Duomenų Lapas
1 043Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11.5 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement DTMOSV Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch DTMOSV 600V 80W 590pF 9.7A
Duomenų Lapas
3 850Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 9.7 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement DTMOSV Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs N-Ch DTMOSV 650V 100W 730pF 11.5A
Duomenų Lapas
3 673Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 100 W Enhancement DTMOSV Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs N-Ch DTMOSV 650V 60W 380pF 7.0A
Duomenų Lapas
1 367Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 560 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement DTMOSV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs N-Ch DTMOSV 650V 35W 730pF 11.5A
Duomenų Lapas
117Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement DTMOSV Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch DTMOSV 650V 100W 730pF 11.5A
Duomenų Lapas
751Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 11.5 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 100 W Enhancement DTMOSV Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs N-Ch DTMOSV 650V 30W 380pF 7.0A
Duomenų Lapas
177Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 560 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSV Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch DTMOSV 600V 30W 590pF 9.7A
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9.7 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSV Tube
Toshiba MOSFETs TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9.7 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSV Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch DTMOSV 650V 80W 590pF 9.7A
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 2 000
Daugkart.: 2 000
: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 9.7 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement DTMOSV Reel
Toshiba MOSFETs N-Ch DTMOSV 600V 30W 380pF 7.0A
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 25 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 560 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSV Tube