TSM2N7002 N-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor TSM2N7002 N-Channel Power MOSFETs feature a low drain-source on-state resistance (RDS(ON)), that minimizes conductive losses. The N-channel power MOSFETs enable a low gate charge for fast power switching. These power MOSFETs are available in single and dual configuration variants. The TSM2N7002 power MOSFETs operate at 60V drain-source breakdown voltage and -55°C to +150°C temperature range. These N-channel power MOSFETs are ideal for low side load switching, level shift circuits, and general switch circuits.

Rezultatų Nerasta.
Pabandykite pakeisti toliau pateiktą paieškos žodį arba apsilankykite mūsų Pagalbos Centre.

Ieškoti Pasiūlymų

  • Patikrinkite dalies numerio arba raktažodžių rašybą
  • Naudokite mažiau arba kitokius raktažodžius
  • Ieškoti pagal 1 dalies numerį vienu metu
  • Vienu metu taikykite 1 filtrą