TRSxE65F SiC Schottky Barrier Diodes

Toshiba TRSxE65F SiC Schottky Barrier Diodes exhibit the chip design of 2nd generation and come in TRS6E65F and TRS8E65F variants. The TRSxE65F diodes feature high surge current, small junction capacitance, and small reverse current. These diodes are available in 10.05mm x 15.3mm x 4.45mm dimensions. The Toshiba TRSxE65F Schottky barrier diodes are ideal for power factor correction, uninterruptible power supplies, and DC-DC converters.

Rezultatai: 7
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Configuration
Jei – tiesioginė srovė
Vrrm - pasikartojanti atvirkštinė įtampa
Vf - tiesioginė įtampa
Ifsm – tiesioginė viršįtampio srovė
IR - Atvirkštinė Srovė
Didžiausia darbinė temperatūra
Pakavimas
Toshiba SiC SCHOTTKY diodai V=650 IF=8A
Duomenų Lapas
7Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 8 A 650 V 1.45 V 69 A 400 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC SCHOTTKY diodai RECT 650V 2A RDL SIC SKY
Duomenų Lapas
5Prieinamumas
300Tikėtina 2026-06-08
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 2 A 650 V 1.45 V 21 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC SCHOTTKY diodai RECT 650V 10A RDL SIC SKY
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 27 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 10 A 650 V 1.45 V 83 A 500 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC SCHOTTKY diodai RECT 650V 12A RDL SIC SKY
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 27 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 12 A 650 V 1.45 V 97 A 600 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC SCHOTTKY diodai RECT 650V 3A RDL SIC SKY
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 27 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 3 A 650 V 1.45 V 27 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC SCHOTTKY diodai RECT 650V 4A RDL SIC SKY
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 27 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 4 A 650 V 1.45 V 39 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC SCHOTTKY diodai V=650 IF=6A
Duomenų Lapas
Vykdymo Laikas 27 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 6 A 650 V 1.45 V 55 A 300 nA + 175 C Tube