Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

NCV57000DWR2G

Name: onsemi NCV57000DWR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCV57000DWR2G
Price: 3.35 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

863-NCV57000DWR2G

Mfr. #:

NCV57000DWR2G

Gam.:

onsemi

Aprašymas:

Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės IGBT gate driver

Duomenų Lapas:

NCV57000DWR2G Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie onsemi NCV57000DWR2G

Prieinamumas: 24 079

Turime sandėlyje:: 24 079 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 21 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Pakuotė:

Visa Ritė (Užsakoma po 1000)

Pjaunama Juosta

"MouseReel"™ (+5,00 €)

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“ ^†
	3,35 €	3,35 €
	2,26 €	22,60 €
	2,03 €	50,75 €
	1,60 €	160,00 €
	1,58 €	395,00 €
	1,32 €	660,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 1000)
	1,23 €	1 230,00 €

† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	onsemi
Gaminio kategorija:	Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės
RoHS:
Serija:	NCV57000
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	SOIC-16
Minimali darbinė temperatūra:	- 40 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 125 C
Pd - skaidos galia:	1.4 W
Vėlinimo trukmė – maks.:	90 ns
Kilimo Laikas:	10 ns
Rudens laikas:	15 ns
Kvalifikacija:	AEC-Q100
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Pakavimas:	MouseReel
Prekės Ženklas:	onsemi
Configuration:	Inverting, Non-Inverting
Maksimalus išjungimo delsos laikas:	90 ns
Maksimalus įjungimo delsos laikas:	90 ns
Vairuotojų skaičius:	1 Driver
Išėjimų skaičius:	2 Output
Darbinė Maitinimo Srovė:	4.8 mA
Išvesties Srovė:	4 A
Gaminys:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Gaminio tipas:	Galvanically Isolated Gate Drivers
Gamyklinės pakuotės kiekis:	1000
Subkategorija:	PMIC - Power Management ICs
Maksimali Maitinimo Įtampa:	5 V
Maitinimo Įtampa - Min.:	3.3 V
Vieneto Svoris:	1,506 g

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

NCV57000DWR2G Duomenų Lapas

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

NCV57000 Isolated High Current IGBT Gate Driver

onsemi NCV57000 Isolated High Current IGBT Gate Driver with internal galvanic isolation is designed for high system efficiency and reliability in high-power applications. The NCV57000 has robust features, including complementary inputs, open drain FAULT and Ready outputs, an active Miller clamp, accurate UVLOs, DESAT protection, soft turn-off at DESAT, and separate high and low (OUTH and OUTL) driver outputs for system design convenience. It accommodates both 5V and 3.3V signals on the input side and a wide bias voltage range on the driver side, including negative voltage capability. The IGBT provides >5kV_rms (UL1577 rating) galvanic isolation and >1200V_iorm (working voltage) capabilities. The NCV57000 Isolated High Current IGBT Gate Driver is packaged to fulfill reinforced safety insulation requirements. It is offered in the wide-body SOIC-16 package with a guaranteed 8mm creepage distance between input and output.

Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.

Galvanically Isolated High Current Gate Drivers

onsemi Galvanically Isolated High Current Gate Drivers offer high transient and electromagnetic immunity. The NCx5700x is a high-current single-channel IGBT driver with internal galvanic isolation, designed for high system efficiency and reliability in high-power applications. The drivers feature complementary inputs, open-drain FAULT, Ready outputs, active Miller clamp, accurate UVLOs, DESAT protection, soft turn-off at DESAT, and separate high and low (OUTH and OUTL) driver outputs for system design convenience. The NCx5700x accommodates 5V and 3.3V signals on the input side and a wide bias voltage range on the driver side, including negative voltage capability. These onsemi devices provide >5kV_RMS (UL1577 rating) galvanic isolation and >1200V_IORM (working voltage) capabilities. The NCx5700x series is available in the wide-body SOIC-16 package with a guaranteed 8mm creepage distance between input and output to fulfill reinforced safety insulation requirements.