|
|
Igbt Moduliai 1200 V, 450 A dual IGBT module
- FF450R12ME7B11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
112,38 €
-
17Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF450R12ME7B11BP
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai 1200 V, 450 A dual IGBT module
|
|
17Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
IGBT Silicon Modules
|
Dual
|
1.2 kV
|
1.5 V
|
450 A
|
100 nA
|
- 40 C
|
+ 175 C
|
Tray
|
|
|
|
Igbt Moduliai 2300 V, 1800 A dual IGBT module
- FF1800R23IE7BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
1 212,72 €
-
2Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF1800R23IE7BPSA
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai 2300 V, 1800 A dual IGBT module
|
|
2Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Tray
|
|
|
|
Igbt Moduliai 1200 V, 600 A dual IGBT module
- FF600R12ME7B11BPSA2
- Infineon Technologies
-
1:
138,12 €
-
36Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF600R12ME7B11B2
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai 1200 V, 600 A dual IGBT module
|
|
36Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Tray
|
|
|
|
Igbt Moduliai 1200 V, 900 A dual IGBT module
- FF900R12ME7PB11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
178,36 €
-
20Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF900R12ME7PB11B
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai 1200 V, 900 A dual IGBT module
|
|
20Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
IGBT Silicon Modules
|
Dual
|
1.2 kV
|
1.5 V
|
900 A
|
100 nA
|
- 40 C
|
+ 175 C
|
Tray
|
|
|
|
Igbt Moduliai 1200 V, 900 A dual IGBT module
- FF900R12ME7B11NPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
170,43 €
-
32Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF900R12ME7B11N1
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai 1200 V, 900 A dual IGBT module
|
|
32Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
Ne
|
|
IGBT Silicon Modules
|
Dual
|
1.2 kV
|
1.5 V
|
900 A
|
100 nA
|
- 40 C
|
+ 175 C
|
Tray
|
|
|
|
Igbt Moduliai 1200 V, 300 A dual IGBT module
- FF300R12ME7B11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
109,87 €
-
13Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF300R12ME7B11BP
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai 1200 V, 300 A dual IGBT module
|
|
13Prieinamumas
|
|
|
109,87 €
|
|
|
91,39 €
|
|
|
83,24 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
IGBT Silicon Modules
|
Dual
|
1.2 kV
|
1.5 V
|
300 A
|
100 nA
|
- 40 C
|
+ 175 C
|
Tray
|
|
|
|
Igbt Moduliai PP IHM I
- FF1800R23IE7PBPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
1 349,13 €
-
Vykdymo Laikas 14 Savaičių
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF1800R23IE7PBPS
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai PP IHM I
|
|
Vykdymo Laikas 14 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Tray
|
|
|
|
Igbt Moduliai 1200 V, 750 A dual IGBT module
- FF750R12ME7B11BPSA1
- Infineon Technologies
-
10:
154,58 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 22 Savaičių
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF750R12ME7B11BP
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai 1200 V, 750 A dual IGBT module
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 22 Savaičių
|
|
Min.: 10
Daugkart.: 10
|
|
|
IGBT Silicon Modules
|
Dual
|
1.2 kV
|
1.5 V
|
750 A
|
100 nA
|
- 40 C
|
+ 175 C
|
Tray
|
|
|
|
Igbt Moduliai 1700 V, 750 A dual IGBT module
- FF750R17ME7DB11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
196,60 €
-
Vykdymo Laikas 22 Savaičių
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF750R17ME7DB11B
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai 1700 V, 750 A dual IGBT module
|
|
Vykdymo Laikas 22 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
IGBT Silicon Modules
|
Dual
|
1.7 kV
|
1.7 V
|
750 A
|
100 nA
|
- 40 C
|
+ 175 C
|
Tray
|
|
|
|
Igbt Moduliai 1200 V, 900 A dual IGBT module
- FF900R12ME7WB11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
226,04 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 22 Savaičių
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF900R12ME7WB11B
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai 1200 V, 900 A dual IGBT module
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 22 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
IGBT Silicon Modules
|
Dual
|
1.2 kV
|
1.5 V
|
890 A
|
100 nA
|
- 40 C
|
+ 175 C
|
Tray
|
|
Lietuva