IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual Configuration Modules

Infineon Technologies IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual Configuration Modules are based on micro-pattern trench technology that reduces losses and offers high controllability. The cell concept is characterized by implementing parallel trench cells separated by sub-micron mesas in contrast to square trench cells. A specially optimized chip for industrial drive applications and solar energy systems provides low static losses, high power density, and soft switching. With a +175°C maximum operating temperature, the modules allow a significant increase in power density.

Rezultatai: 10
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Gaminys
Configuration
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa
Nuolatinė kolektoriaus srovė esant 25 C
Užtvaro sklaidos įrenginio nuotėkio srovė
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pakavimas
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 900 A dual IGBT module
Duomenų Lapas
6Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 890 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 450 A dual IGBT module
Duomenų Lapas
17Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 300 A dual IGBT module
Duomenų Lapas
25Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 300 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 2300 V, 1800 A dual IGBT module
Duomenų Lapas
2Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 600 A dual IGBT module
Duomenų Lapas
18Prieinamumas
20Tikėtina 2026-05-06
Min.: 1
Daugkart.: 1

Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 900 A dual IGBT module
Duomenų Lapas
10Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 900 A dual IGBT module
Duomenų Lapas
20Tikėtina 2026-04-28
Min.: 1
Daugkart.: 1
Ne
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai PP IHM I
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 14 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 750 A dual IGBT module
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 14 Savaičių
Min.: 10
Daugkart.: 10

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1700 V, 750 A dual IGBT module
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 14 Savaičių
Min.: 10
Daugkart.: 10

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray