Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

RFN10BGE3STL

Name: ROHM Semiconductor RFN10BGE3STL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RFN10BGE3STL
Price: 1.16 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

755-RFN10BGE3STL

Mfr. #:

RFN10BGE3STL

Gam.:

ROHM Semiconductor

Aprašymas:

Lygintuvai RECT 350V 10A SM SUPER FST

Duomenų Lapas:

RFN10BGE3STL Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie ROHM Semiconductor RFN10BGE3STL

Prieinamumas: 3 657

Turime sandėlyje:: 3 657 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 16 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	1,16 €	1,16 €
	0,739 €	7,39 €
	0,622 €	62,20 €
	0,49 €	245,00 €
	0,448 €	448,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 2500)
	0,418 €	1 045,00 €
	0,413 €	2 065,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	ROHM Semiconductor
Gaminio kategorija:	Lygintuvai
RoHS:
REACH - SVHC:
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	TO-252GE-3
Vr - atvirkštinė įtampa:	350 V
Jei – tiesioginė srovė:	10 A
Tipas:	Super Fast Recovery Diode
Configuration:	Single
Vf - tiesioginė įtampa:	1.5 V
Didžiausia viršįtampio srovė:	80 A
IR - Atvirkštinė Srovė:	10 uA
Atkūrimo Laikas:	30 ns
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Prekės Ženklas:	ROHM Semiconductor
Gaminys:	Rectifiers
Gaminio tipas:	Rectifiers
Gamyklinės pakuotės kiekis:	2500
Subkategorija:	Diodes & Rectifiers
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai:	RFN10BGE3S

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

RFN10BGE3STL Duomenų Lapas (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-07-15 (PDF)

Specification Sheets

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

RFN10BGE3STL Super Fast Recovery Diode

ROHM Semiconductor RFN10BGE3STL Super Fast Recovery Diode features silicon epitaxial planar construction with high current overload capacity and low switching loss. This superfast recovery diode is stored at -55°C to 150°C temperature range and offers 350V repetitive peak reverse voltage. The RFN10BGE3STL diode functions at 10A average rectified forward current, 1.5V maximum forward voltage, 10μA maximum reverse current, and 150°C junction temperature. This diode is ideal for use in general rectification.