SCT3x 3rd Generation SiC Trench MOSFETs

ROHM Semiconductor SCT3x series SiC Trench MOSFETs utilize a proprietary trench gate structure that reduces ON resistance by 50% and input capacitance by 35% compared with planar-type SiC MOSFETs. This design results in significantly lower switching loss and faster switching speeds, improving operational efficiency while reducing power loss in a variety of equipment. ROHM Semiconductor SCT3x includes 650V and 1200V variants for broad applicability.

Rezultatai: 31
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Kvalifikacija
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
Duomenų Lapas
5Prieinamumas
450Tikėtina 2026-03-12
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 93 A 28.6 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 133 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS
Duomenų Lapas
92Prieinamumas
450Tikėtina 2026-05-20
Min.: 1
Daugkart.: 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 156 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 38 nC + 175 C 103 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS
Duomenų Lapas
24Prieinamumas
1 350Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 103 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
Duomenų Lapas
1 197Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 60 nC - 55 C + 175 C 165 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 21A 103W SIC 120mOhm TO-247N
Duomenų Lapas
Produkto pastabos
450Tikėtina 2026-07-23
Min.: 1
Daugkart.: 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 156 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 38 nC + 175 C 103 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 93A 339W SIC 22mOhm TO-247N
Duomenų Lapas
Produkto pastabos
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 27 Savaičių
Min.: 450
Daugkart.: 450

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 93 A 28.6 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 133 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement AEC-Q101