Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

Grįžti į Paieškos Rezultatus

Matote Klaidą?

QPD1006

Name: Qorvo QPD1006
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1006
Price: 1262.07 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

772-QPD1006

Mfr. #:

QPD1006

Gam.:

Qorvo

Aprašymas:

GaN FET 450W 50V 1.2-1.4GHz GaN IMFET

Duomenų Lapas:

QPD1006 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Qorvo QPD1006

Prieinamumas: 18

Turime sandėlyje:: 18 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 20 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Didesniam nei 18 kiekiui taikomi minimalaus užsakymo reikalavimai.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	1 262,07 €	1 262,07 €
	1 119,86 €	11 198,60 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Qorvo
Gaminio kategorija:	GaN FET
RoHS:
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	NI-50CW
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	14 A
Minimali darbinė temperatūra:	- 40 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 85 C
Pd - skaidos galia:	445 W
Prekės Ženklas:	Qorvo
Configuration:	Single
Kūrimo priemonių rinkinys:	QPD1006EVB3
Gain:	17.8 dB
Didžiausia santakos vartų įtampa:	145 V
Didžiausias darbinis dažnis:	1.4 GHz
Minimalus darbinis dažnis:	1.2 GHz
Jautrus drėgmei:	Yes
Išvesties Galia:	450 W
Pakavimas:	Waffle
Gaminio tipas:	GaN FETs
Serija:	QPD1006
Gamyklinės pakuotės kiekis:	36
Subkategorija:	Transistors
Technologijos:	GaN
Tranzistoriaus tipas:	HEMT

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

QPD1006 Duomenų Lapas (PDF)

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

QPD1006 GaN RF IMFET Transistor

Qorvo QPD1006 GaN RF Internally Matched FET (IMFET) Transistor is a 450W GaN SiC high-electron mobility transistor (HEMT). The QPD1006 transistor operates from 1.2GHz to 1.4GHz frequency range and a 50V supply rail. This device can support pulsed and continuous wave (CW) operations. Qorvo QPD1006 transistor is GaN IMFET fully matched to 50Ω in an industry-standard air cavity package. This IMFET transistor is ideally suited for military and civilian radar.