NXH020P120MNF1 SiC Module

onsemi NXH020P120MNF1 SiC Module contains a 20Mohm 1200V SiC MOSFET half-bridge and an NTC thermistor in an F1 module. The module has a recommended gate voltage of 18V to 20V. The NXH020P120MNF1 features an improved RDS(ON) at higher voltage and low thermal resistance.

Rezultatai: 2
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Serija
Pakavimas

onsemi MOSFET moduliai SiC Module, 2-PACK Half Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm SiC M1 MOSFET
Duomenų Lapas
28Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
SiC Press Fit Module N-Channel 1.2 kV 51 A 30 mOhms - 15 V, + 25 V 1.8 V - 40 C + 150 C 211 W NXH020P120MNF1 Tray

onsemi MOSFET moduliai SiC Module, 2-PACK Half Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm SiC M1 MOSFET with TIM
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 17 Savaičių
Min.: 28
Daugkart.: 28

SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH020P120MNF1 Tray