Polar2™ HiPerFET™ MOSFETs

IXYS Polar2™ HiPerFET™ MOSFETs are offered with drain current ratings of 24, 42, 52, 74, 94, and 120 Amperes. These high-performance devices retain all the features and advantages of the PolarP2 Standard versions, with the added benefit of a fast intrinsic rectifier for increased turn-off dV/dt immunity and low reverse recovery speeds (trr <=250ns). 

Diskrečiųjų puslaidininkių tipai
Pakeisti kategorijos rodinį
Rezultatai: 10
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS Gaminio tipas
Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas

IXYS MOSFETs PolarP2 Power MOSFET
Duomenų Lapas
928Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs PolarP2 Power MOSFET
Duomenų Lapas
806Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs PolarP2 Power MOSFET
Duomenų Lapas
449Prieinamumas
90Tikėtina 2026-10-26
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFETs PolarP2 Power MOSFET
Duomenų Lapas
130Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET moduliai MBLOC 500V 68A N-CH POLARP2
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 10

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227B-4
IXYS MOSFETs PolarP2 Power MOSFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 300
Daugkart.: 30
MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS MOSFETs PolarP2 Power MOSFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 27 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs PolarP2 Power MOSFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 27 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs PolarP2 Power MOSFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs PolarP2 Power MOSFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 27 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3