{Raktažodis} {Gamintojas} {Pavadinimas} {Serija} {Dalis} {Patikslinimai} {Šablonas} {Subkategorija}

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Rezultatai: 18

Taikyti filtrai:

Montavimo stilius

Pakuotė / Korpusas

Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa

svar. – nuolatinio išleidimo srovė

RDS On - Drain-Source Varža

Vgs - užtūros-šaltinio įtampa

Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa

Qg – vartų krūvis

Didžiausia darbinė temperatūra

Pd - skaidos galia

Nustatyti Viską Iš Naujo

Paieška rezultatuose

Prieinamumas

Įprastai sandėliuojama

Aktyvus

Nauji produktai

Atitinka PMNA

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Dalies Nr.

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H

SCTW40N120G2VAG
STMicroelectronics
1: 15,83 €
551Prieinamumas

Gam. dalies Nr.
SCTW40N120G2VAG

„Mouser“ Dalies Nr.
511-SCTW40N120G2VAG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

551Prieinamumas

15,83 €

9,82 €

9,16 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

100 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.9 V

61 nC

- 55 C

+ 200 C

278 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

SCT012W90G3-4AG
STMicroelectronics
1: 19,09 €
632Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
SCT012W90G3-4AG

„Mouser“ Dalies Nr.
511-SCT012W90G3-4AG

Naujas Produktas

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

632Prieinamumas

19,09 €

12,03 €

11,64 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

110 A

15.8 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

138 nC

- 55 C

+ 200 C

625 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package

SCT016H120G3AG
STMicroelectronics
1: 20,05 €
588Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
SCT016H120G3AG

„Mouser“ Dalies Nr.
511-SCT016H120G3AG

Naujas Produktas

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

588Prieinamumas

Pjaunama Juosta

20,05 €

14,51 €

14,48 €

14,47 €

Ritė

13,52 €

„MouseReel“ galima

Min.: 1
Daugkart.: 1

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

112 A

22 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

652 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

SCT020HU120G3AG
STMicroelectronics
1: 19,57 €
304Prieinamumas
600Tikėtina 2027-05-24
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
SCT020HU120G3AG

„Mouser“ Dalies Nr.
511-SCT020HU120G3AG

Naujas Produktas

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

304Prieinamumas

600Tikėtina 2027-05-24

Pjaunama Juosta

19,57 €

14,62 €

12,64 €

Ritė

11,18 €

„MouseReel“ galima

Min.: 1
Daugkart.: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

100 A

28 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

121 nC

- 55 C

555 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package

SCT040HU120G3AG
STMicroelectronics
1: 12,12 €
602Prieinamumas
600Tikėtina 2026-08-10
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
SCT040HU120G3AG

„Mouser“ Dalies Nr.
511-SCT040HU120G3AG

Naujas Produktas

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

602Prieinamumas

600Tikėtina 2026-08-10

Pjaunama Juosta

12,12 €

8,70 €

8,05 €

Ritė

7,03 €

6,70 €

„MouseReel“ galima

Min.: 1
Daugkart.: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

SCT020W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 17,40 €
362Prieinamumas

Gam. dalies Nr.
SCT020W120G3-4AG

„Mouser“ Dalies Nr.
511-SCT020W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

362Prieinamumas

17,40 €

10,88 €

9,45 €

9,40 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

Hip247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

100 A

28 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

121 nC

- 55 C

+ 200 C

541 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

SCT025W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 17,67 €
495Prieinamumas
1 200Tikėtina 2026-08-31

Gam. dalies Nr.
SCT025W120G3-4AG

„Mouser“ Dalies Nr.
511-SCT025W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

495Prieinamumas

1 200Tikėtina 2026-08-31

17,67 €

11,12 €

10,09 €

9,57 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

SCT025W120G3AG
STMicroelectronics
1: 16,30 €
443Prieinamumas

Gam. dalies Nr.
SCT025W120G3AG

„Mouser“ Dalies Nr.
511-SCT025W120G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

443Prieinamumas

16,30 €

10,14 €

8,79 €

8,65 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

SCT040W120G3AG
STMicroelectronics
1: 11,95 €
530Prieinamumas

Gam. dalies Nr.
SCT040W120G3AG

„Mouser“ Dalies Nr.
511-SCT040W120G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

530Prieinamumas

11,95 €

8,39 €

6,41 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055HU65G3AG
STMicroelectronics
1: 11,64 €
1 104Prieinamumas

Gam. dalies Nr.
SCT055HU65G3AG

„Mouser“ Dalies Nr.
511-SCT055HU65G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

1 104Prieinamumas

Pjaunama Juosta

11,64 €

8,87 €

7,39 €

Ritė

6,45 €

6,15 €

„MouseReel“ galima

Min.: 1
Daugkart.: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

185 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package

SCT012H90G3AG
STMicroelectronics
1: 17,68 €
66Prieinamumas
1 000Tikėtina 2026-08-17

Gam. dalies Nr.
SCT012H90G3AG

„Mouser“ Dalies Nr.
511-SCT012H90G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

66Prieinamumas

1 000Tikėtina 2026-08-17

Pjaunama Juosta

17,68 €

12,69 €

12,33 €

Ritė

11,51 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

900 V

110 A

12 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

138 nC

- 55 C

+ 175 C

625 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A

SCT040HU65G3AG
STMicroelectronics
1: 11,32 €
127Prieinamumas

Gam. dalies Nr.
SCT040HU65G3AG

„Mouser“ Dalies Nr.
511-SCT040HU65G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

127Prieinamumas

Pjaunama Juosta

11,32 €

8,18 €

6,65 €

Ritė

5,64 €

„MouseReel“ galima

Min.: 1
Daugkart.: 1

: 600

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

650 V

7 A

40 mOhms

- 30 V, + 30 V

5 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

266 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package

SCT011HU75G3AG
STMicroelectronics
1: 24,11 €
3Prieinamumas
1 200Pagal užsakymą
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
SCT011HU75G3AG

„Mouser“ Dalies Nr.
511-SCT011HU75G3AG

Naujas Produktas

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

3Prieinamumas

1 200Pagal užsakymą

Pjaunama Juosta

24,11 €

16,70 €

15,81 €

Ritė

14,76 €

„MouseReel“ galima

Min.: 1
Daugkart.: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

750 V

110 A

15 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.2 V

154 nC

- 55 C

+ 175 C

652 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT025H120G3AG
STMicroelectronics
1: 15,79 €
1 997Tikėtina 2026-10-12
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
SCT025H120G3AG

„Mouser“ Dalies Nr.
511-SCT025H120G3AG

Naujas Produktas

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

1 997Tikėtina 2026-10-12

Pjaunama Juosta

15,79 €

11,21 €

9,78 €

Ritė

8,31 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

SCT015W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 22,16 €
600Tikėtina 2026-07-20

Gam. dalies Nr.
SCT015W120G3-4AG

„Mouser“ Dalies Nr.
511-SCT015W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

600Tikėtina 2026-07-20

22,16 €

14,16 €

12,81 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

129 A

15 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

167 nC

- 55 C

+ 200 C

673 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package

SCT040H120G3AG
STMicroelectronics
1: 10,96 €
996Tikėtina 2026-07-21

Gam. dalies Nr.
SCT040H120G3AG

„Mouser“ Dalies Nr.
511-SCT040H120G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

996Tikėtina 2026-07-21

Pjaunama Juosta

10,96 €

7,65 €

6,65 €

Ritė

6,21 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package

SCT070HU120G3AG
STMicroelectronics
1: 12,15 €
1 199Tikėtina 2026-07-02

Gam. dalies Nr.
SCT070HU120G3AG

„Mouser“ Dalies Nr.
511-SCT070HU120G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

1 199Tikėtina 2026-07-02

Pjaunama Juosta

12,15 €

8,80 €

7,28 €

Ritė

6,79 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

223 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

SCT040W120G3-4
STMicroelectronics
1: 10,72 €
100Pagal užsakymą
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
SCT040W120G3-4

„Mouser“ Dalies Nr.
511-SCT040W120G3-4

Naujas Produktas

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

100Pagal užsakymą

10,72 €

6,42 €

5,53 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q101

klientų aptarnavimas

Įmonė

Ištekliai

Pagalba