{Raktažodis} {Gamintojas} {Pavadinimas} {Serija} {Dalis} {Patikslinimai} {Šablonas} {Subkategorija}

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Automobilių klasės silicio karbido galios MOSFET

STMicroelectronics automobilių klasės silicio karbido galios MOSFET sukurta naudojant pažangią ir naujovišką ST 2-os / 3-ios kartos SiC MOSFET technologiją. Prietaisai pasižymi maža įjungimo varža ploto vienetui ir labai geromis perjungimo savybėmis. MOSFET pasižymi itin aukšta darbine temperatūra (TJ = 200°C) ir labai greitu bei patikimu vidiniu korpuso diodu.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Rezultatai: 18

Taikyti filtrai:

Montavimo stilius

Pakuotė / Korpusas

Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa

svar. – nuolatinio išleidimo srovė

RDS On - Drain-Source Varža

Vgs - užtūros-šaltinio įtampa

Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa

Qg – vartų krūvis

Didžiausia darbinė temperatūra

Pd - skaidos galia

Nustatyti Viską Iš Naujo

Paieška rezultatuose

Prieinamumas

Įprastai sandėliuojama

Aktyvus

Nauji produktai

Atitinka PMNA

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Vaizdas	Dalies Nr.	Gam.	Aprašymas	Duomenų Lapas	Prieinamumas	Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.	Qty.	Montavimo stilius	Pakuotė / Korpusas	Kanalų skaičius	Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa	svar. – nuolatinio išleidimo srovė	RDS On - Drain-Source Varža	Vgs - užtūros-šaltinio įtampa	Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa	Qg – vartų krūvis	Minimali darbinė temperatūra	Didžiausia darbinė temperatūra	Pd - skaidos galia	Kanalas Mode	Kvalifikacija
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package SCT020HU120G3AG STMicroelectronics 1: 19,57 € 32Prieinamumas 1 200Tikėtina 2027-02-19 Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. SCT020HU120G3AG „Mouser“ Dalies Nr. 511-SCT020HU120G3AG Naujas Produktas	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package Sužinokite Daugiau apie STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Duomenų Lapas	32Prieinamumas 1 200Tikėtina 2027-02-19	Pjaunama Juosta 19,57 € 13,44 € 12,35 € Ritė 11,18 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	1.2 kV	100 A	28 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	121 nC	- 55 C		555 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package SCT012W90G3-4AG STMicroelectronics 1: 20,47 € 570Prieinamumas	Gam. dalies Nr. SCT012W90G3-4AG „Mouser“ Dalies Nr. 511-SCT012W90G3-4AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package Sužinokite Daugiau apie STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Duomenų Lapas	570Prieinamumas	20,47 € 12,16 € 11,80 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	HiP247-3	1 Channel	900 V	110 A	15.8 mOhms	- 10 V, + 22 V	3.1 V	138 nC	- 55 C	+ 200 C	625 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package SCT015W120G3-4AG STMicroelectronics 1: 22,82 € 524Prieinamumas	Gam. dalies Nr. SCT015W120G3-4AG „Mouser“ Dalies Nr. 511-SCT015W120G3-4AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package Sužinokite Daugiau apie STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Duomenų Lapas	524Prieinamumas	22,82 € 14,27 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	1.2 kV	129 A	15 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	167 nC	- 55 C	+ 200 C	673 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package SCT020W120G3-4AG STMicroelectronics 1: 17,40 € 246Prieinamumas 600Tikėtina 2027-07-23	Gam. dalies Nr. SCT020W120G3-4AG „Mouser“ Dalies Nr. 511-SCT020W120G3-4AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package Sužinokite Daugiau apie STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Duomenų Lapas	246Prieinamumas 600Tikėtina 2027-07-23	17,40 € 10,47 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	Hip247-4	1 Channel	1.2 kV	100 A	28 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	121 nC	- 55 C	+ 200 C	541 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package SCT040H120G3AG STMicroelectronics 1: 11,72 € 960Prieinamumas	Gam. dalies Nr. SCT040H120G3AG „Mouser“ Dalies Nr. 511-SCT040H120G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package Sužinokite Daugiau apie STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Duomenų Lapas	960Prieinamumas	Pjaunama Juosta 11,72 € 6,67 € 6,65 € Ritė 6,29 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	40 A	54 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	54 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package SCT025W120G3-4AG STMicroelectronics 1: 18,15 € 13Prieinamumas 1 200Pagal užsakymą	Gam. dalies Nr. SCT025W120G3-4AG „Mouser“ Dalies Nr. 511-SCT025W120G3-4AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package Sužinokite Daugiau apie STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Duomenų Lapas	13Prieinamumas 1 200Pagal užsakymą Pagal užsakymą gaminamų produktų siuntimo datos Mfr. #: SCT025W120G3-4AG Turime sandėlyje: 13 Galime išsiųsti iš karto Pagal užsakymą: 600 Tikėtina 2027-05-07 600 Tikėtina 2027-06-11 Gamintojo numatytas pristatymo laikas 36 Savaičių	18,15 € 12,52 € 11,43 € 10,51 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	1.2 kV	56 A	37 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	73 nC	- 55 C	+ 200 C	388 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package SCT025W120G3AG STMicroelectronics 1: 16,30 € 44Prieinamumas 600Tikėtina 2027-05-14	Gam. dalies Nr. SCT025W120G3AG „Mouser“ Dalies Nr. 511-SCT025W120G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package Sužinokite Daugiau apie STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Duomenų Lapas	44Prieinamumas 600Tikėtina 2027-05-14	16,30 € 10,14 € 9,51 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	HiP247-3	1 Channel	1.2 kV	56 A	37 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	73 nC	- 55 C	+ 200 C	388 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package SCT040W120G3AG STMicroelectronics 1: 11,95 € 16Prieinamumas 600Tikėtina 2027-05-14	Gam. dalies Nr. SCT040W120G3AG „Mouser“ Dalies Nr. 511-SCT040W120G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package Sužinokite Daugiau apie STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Duomenų Lapas	16Prieinamumas 600Tikėtina 2027-05-14	11,95 € 8,39 € 6,41 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	HiP-247-3	1 Channel	1.2 kV	40 A	54 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	56 nC	- 55 C	+ 200 C	312 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H SCTW40N120G2VAG STMicroelectronics 1: 17,35 € 5Prieinamumas 600Tikėtina 2027-02-19	Gam. dalies Nr. SCTW40N120G2VAG „Mouser“ Dalies Nr. 511-SCTW40N120G2VAG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H Sužinokite Daugiau apie STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Duomenų Lapas	5Prieinamumas 600Tikėtina 2027-02-19	17,35 € 9,29 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	HiP-247-3	1 Channel	1.2 kV	36 A	100 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.9 V	61 nC	- 55 C	+ 200 C	278 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package SCT011HU75G3AG STMicroelectronics 1: 23,62 € 1 200Pagal užsakymą Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. SCT011HU75G3AG „Mouser“ Dalies Nr. 511-SCT011HU75G3AG Naujas Produktas	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package Sužinokite Daugiau apie STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Duomenų Lapas	1 200Pagal užsakymą Pagal užsakymą gaminamų produktų siuntimo datos Mfr. #: SCT011HU75G3AG Turime sandėlyje: 0 Pagal užsakymą: 600 Tikėtina 2027-06-25 600 Tikėtina 2027-07-02 Gamintojo numatytas pristatymo laikas 36 Savaičių	Pjaunama Juosta 23,62 € 17,75 € 16,30 € Ritė 14,96 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	750 V	110 A	15 mOhms	- 10 V, + 22 V	3.2 V	154 nC	- 55 C	+ 175 C	652 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package SCT016H120G3AG STMicroelectronics 1: 22,19 € 1 985Pagal užsakymą Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. SCT016H120G3AG „Mouser“ Dalies Nr. 511-SCT016H120G3AG Naujas Produktas	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package Sužinokite Daugiau apie STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Duomenų Lapas	1 985Pagal užsakymą Pagal užsakymą gaminamų produktų siuntimo datos Mfr. #: SCT016H120G3AG Turime sandėlyje: 0 Pagal užsakymą: 985 Tikėtina 2027-02-19 1 000 Tikėtina 2027-04-30 Gamintojo numatytas pristatymo laikas 25 Savaičių	Pjaunama Juosta 22,19 € 15,21 € 14,81 € Ritė 13,71 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	112 A	22 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	150 nC	- 55 C	+ 175 C	652 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package SCT025H120G3AG STMicroelectronics 1: 15,79 € 1 997Tikėtina 2027-08-20	Gam. dalies Nr. SCT025H120G3AG „Mouser“ Dalies Nr. 511-SCT025H120G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package Sužinokite Daugiau apie STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Duomenų Lapas	1 997Tikėtina 2027-08-20	Pjaunama Juosta 15,79 € 9,78 € 9,73 € Ritė 9,25 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	55 A	37 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	73 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package SCT012H90G3AG STMicroelectronics 1: 20,06 € 998Tikėtina 2027-01-29	Gam. dalies Nr. SCT012H90G3AG „Mouser“ Dalies Nr. 511-SCT012H90G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package Sužinokite Daugiau apie STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Duomenų Lapas	998Tikėtina 2027-01-29	Pjaunama Juosta 20,06 € 13,07 € 13,05 € 12,27 € Ritė 11,67 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	900 V	110 A	12 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	138 nC	- 55 C	+ 175 C	625 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package SCT040HU120G3AG STMicroelectronics 1: 14,18 € 1 200Tikėtina 2027-03-12 Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. SCT040HU120G3AG „Mouser“ Dalies Nr. 511-SCT040HU120G3AG Naujas Produktas	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package Sužinokite Daugiau apie STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Duomenų Lapas	1 200Tikėtina 2027-03-12	Pjaunama Juosta 14,18 € 9,08 € 7,98 € Ritė 6,79 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	1.2 kV	40 A	72 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	54 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A SCT040HU65G3AG STMicroelectronics 1: 11,75 € 600Tikėtina 2027-10-08	Gam. dalies Nr. SCT040HU65G3AG „Mouser“ Dalies Nr. 511-SCT040HU65G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A Sužinokite Daugiau apie STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Duomenų Lapas	600Tikėtina 2027-10-08	Pjaunama Juosta 11,75 € 8,95 € 7,46 € Ritė 6,65 € 6,29 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 600	SMD/SMT	H2PAK-2	1 Channel	650 V	7 A	40 mOhms	- 30 V, + 30 V	5 V	36 nC	- 55 C	+ 150 C	266 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A SCT055HU65G3AG STMicroelectronics 1: 11,64 € 1 800Pagal užsakymą	Gam. dalies Nr. SCT055HU65G3AG „Mouser“ Dalies Nr. 511-SCT055HU65G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A Sužinokite Daugiau apie STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Duomenų Lapas	1 800Pagal užsakymą Pagal užsakymą gaminamų produktų siuntimo datos Mfr. #: SCT055HU65G3AG Turime sandėlyje: 0 Pagal užsakymą: 600 Tikėtina 2027-02-12 1 200 Tikėtina 2027-02-19 Gamintojo numatytas pristatymo laikas 36 Savaičių	Pjaunama Juosta 11,64 € 7,52 € 6,85 € Ritė 6,23 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	650 V	30 A	72 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.2 V	29 nC	- 55 C	+ 175 C	185 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package SCT070HU120G3AG STMicroelectronics 1: 12,62 € 599Tikėtina 2026-11-11	Gam. dalies Nr. SCT070HU120G3AG „Mouser“ Dalies Nr. 511-SCT070HU120G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package Sužinokite Daugiau apie STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet	Duomenų Lapas	599Tikėtina 2026-11-11	Pjaunama Juosta 12,62 € 8,66 € 7,63 € Ritė 6,88 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	1.2 kV	30 A	87 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	37 nC	- 55 C	+ 175 C	223 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package SCT040W120G3-4 STMicroelectronics 1: 11,54 € 100Pagal užsakymą	Gam. dalies Nr. SCT040W120G3-4 „Mouser“ Dalies Nr. 511-SCT040W120G3-4	STMicroelectronics	SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package Sužinokite Daugiau apie STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Duomenų Lapas	100Pagal užsakymą	11,54 € 7,60 € 6,67 € 5,68 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	HiP247-4	1 Channel	1.2 kV	40 A	54 mOhms	- 10 V, + 22 V	3.1 V	56 nC	- 55 C	+ 200 C	312 W	Enhancement	AEC-Q101

Automobilių klasės silicio karbido galios MOSFET

Taikyti filtrai:

klientų aptarnavimas

Įmonė

Ištekliai

Pagalba