2EDL900G3XTMA1

Infineon Technologies
726-2EDL900G3XTMA1
2EDL900G3XTMA1

Gam.:

Aprašymas:
Gate Tvarkyklės 120 V Level shifter gate driver

Eksploatacijos Laikotarpis:
Naujas Produktas:
Naujiena iš šio gamintojo.
Duomenų Lapas:
ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.
Daugiau informacijos
Sužinokite daugiau apie Infineon Technologies 2EDL900G3XTMA1

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
Infineon
Gaminio kategorija: Gate Tvarkyklės
RoHS:  
Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
TSNP-16
2 Output
4 V
16 V
- 40 C
+ 150 C
Reel
Cut Tape
Prekės Ženklas: Infineon Technologies
Darbinė Maitinimo Srovė: 3.5 mA
Gaminio tipas: Gate Drivers
Gamyklinės pakuotės kiekis: 5000
Subkategorija: PMIC - Power Management ICs
Technologijos: Si
Prekinis pavadinimas: EiceDRIVER
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai: 2EDL900G3 SP006165917
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Duomenų Lapas

Reglamentavimo kodai
CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99
Klasifikacija pagal kilmę
Kilmės šalis:
Vokietija
Šalis, kurioje pagaminta:
Tailandas
Distribucijos šalis:
Vokietija
Šalis gali keistis siuntimo metu.

EiceDRIVER™ Gate Driver ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate Driver ICs are designed for MOSFETs, IGBTs, SiC MOSFETs, and GaN HEMTs devices. EiceDRIVER™ gate drivers provide a wide range of typical output current options, from 0.1A up to 10A. These devices have robust gate drive protection features such as fast short-circuit protection (DESAT), active Miller clamp, shoot-through protection, fault, shutdown, and over current protection. These features make these driver ICs well-suited for both silicon and wide-bandgap power devices, including CoolGaN™, and CoolSiC™. That’s why Infineon offers more than 500 EiceDRIVER™ gate driver IC solutions suitable for any power switch, and any application.

EiceDRIVER™ 2EDL90xG3 Gate Drivers

Infineon Technologies EiceDRIVER™ 2EDL90xG3 Gate Drivers are designed to enable gallium nitride (GaN) and silicon (Si) power designs on the same PCB. These 120V common-footprint gate drivers drive dual low-side, dual high-side, or half-bridge configurations of Si MOSFETs or enhancement-mode GaN transistors. The 2EDL90xG3 modules include two completely floating output gate drivers, which are especially useful for switched-capacitor and multilevel topologies. Five configurable input modes can be selected by a simple pull-down resistor and include tri-state single PWM mode, HSCC LS mode, HSCC HS mode, Hi/Li mode, and Hi/Li inverted mode. Infineon Technologies EiceDRIVER 2EDL90xG3 Gate Drivers feature a 16-pin 3mm x 3mm package and are qualified for industrial applications per JEDEC 47/20/22 standards.

Prieinamumas: 3 374

Turime sandėlyje:
3 374 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
36 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
1,81 € 1,81 €
1,33 € 13,30 €
1,22 € 30,50 €
1,09 € 109,00 €
1,03 € 257,50 €
0,989 € 494,50 €
0,963 € 963,00 €
0,937 € 2 342,50 €
Visa Ritė (Užsakoma po 5000)
0,92 € 4 600,00 €

Įvyko netikėta klaida.


Turite klausimų? Apsilankykite pagalbos centre.
Jei turite klausimų apie konkretų užsakymą, prisijunkite prie savo paskyros.

Jei susidūrėte su papildomomis problemomis, susisiekite su mumis tel. Nr. 800-346-6873 arba el. paštu help@mouser.com.