Rezultatai: 13
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Pakavimas
Vishay Semiconductors MOSFETs TO263 400V 10A N-CH MOSFET
Duomenų Lapas
2 265Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
Duomenų Lapas
Produkto pastabos
4 630Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs N-Chan 400V 10 Amp
Duomenų Lapas
6 163Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 36 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
Duomenų Lapas
Produkto pastabos
11 726Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 36 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs N-Chan 400V 10 Amp
Duomenų Lapas
211Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
Duomenų Lapas
Produkto pastabos
916Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO262 400V 10A N-CH MOSFET
Duomenų Lapas
1 689Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 36 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
Duomenų Lapas
Produkto pastabos
1 456Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
Duomenų Lapas
Produkto pastabos
2 684Prieinamumas
4 000Tikėtina 2026-07-16
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs N-Chan 400V 10 Amp
Duomenų Lapas
1 301Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
Duomenų Lapas
Produkto pastabos
5 993Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 36 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs N-Chan 400V 10 Amp
Duomenų Lapas
3 183Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 36 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 800
Daugkart.: 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) Reel