CDMSJ N-Channel Super Junction MOSFETs

Central Semiconductor CDMSJ N-Channel Super Junction MOSFETs offer high current, high blocking voltage, and 650V drain-source voltage. This MOSFET combines high voltage capability with low RDS(ON), low threshold voltage, and low gate charge. Typical applications include Power Factor Correction (PFC), solar power inverters, electric vehicle inverters, and Switch Mode Power Supplies (SMPS).

Rezultatai: 5
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Pakavimas
Central Semiconductor MOSFETs 7.3A,650V Through-Hole MOSFET N-Channel Super Junction T/L
Duomenų Lapas
490Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7.3 A 600 mOhms 30 V 4 V 17 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement Tube
Central Semiconductor MOSFETs 10A,650V Through-Hole MOSFET N-Channel Super Junction T/L
Duomenų Lapas
487Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 390 mOhms 30 V 4 V 19 nC - 55 C + 150 C 29.5 W Enhancement Tube
Central Semiconductor MOSFETs 13.8A,650V Through-Hole MOSFET N-Channel Super Junction T/L
Duomenų Lapas
419Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.8 A 280 mOhms 30 V 4 V 30 nC - 55 C + 150 C 35.7 W Enhancement Tube
Central Semiconductor MOSFETs 29A,650V Through-Hole MOSFET N-Channel Super Junction T/L
Duomenų Lapas
419Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 130 mOhms 30 V 4 V 51 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement Tube
Central Semiconductor MOSFETs 4.7A,650V Through-Hole MOSFET N-Channel Super Junction T/L
Duomenų Lapas
474Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4.7 A 990 mOhms 30 V 4 V 9.7 nC - 55 C + 150 C 22.5 W Enhancement Tube