FOD8802 OptoHiT™ Phototransistor Optocouplers

onsemi FOD8802 OptoHiT™ Phototransistor Optocouplers utilize onsemi's leading-edge proprietary process technology. This achieves a high operating temperature performance of up to 125°C. The optocouplers consist of two aluminum gallium arsenide (AlGaAs) infrared light-emitting diodes optically coupled to two phototransistors. They are housed in a small outline, 8-pin SOIC package. The devices deliver a consistent current transfer ratio at a very low input current over temperature.

Rezultatai: 3
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Kanalų skaičius
Izoliacijos Įtampa
Išvesties Type
Srovės perdavimo koeficientas, min.
Srovės perdavimo koeficientas, maks.
Jei – tiesioginė srovė
Vf - tiesioginė įtampa
Didžiausia kolektoriaus emiterio įtampa
Didžiausia kolektoriaus srovė
Didžiausia kolektoriaus emiterio soties įtampa
Kilimo Laikas
Rudens laikas
Vr - atvirkštinė įtampa
Pd - skaidos galia
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Serija
Pakavimas
onsemi FOD8802DR2
onsemi Tranzistorių Išėjimo optronai 8SO 2-CH TR
Duomenų Lapas
3 892Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 500

SMD/SMT 2 Channel 2500 Vrms NPN Phototransistor 70 % 380 % 50 mA 1.8 V 75 V 30 mA 400 mV 6 us 7 us 6 V 150 mW - 40 C + 110 C FOD8802A Reel, Cut Tape
onsemi FOD8802C
onsemi Tranzistorių Išėjimo optronai 8SO 2-CH TR
Duomenų Lapas
2 226Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT 2 Channel 2500 Vrms NPN Phototransistor 140 % 380 % 50 mA 1.8 V 75 V 30 mA 400 mV 6 us 7 us 6 V 150 mW - 40 C + 110 C FOD8802A Tube
onsemi FOD8802A
onsemi Tranzistorių Išėjimo optronai 8SO 2-CH TR
Duomenų Lapas
2 749Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT 2 Channel 2500 Vrms NPN Phototransistor 65 % 150 % 50 mA 1.8 V 75 V 30 mA 400 mV 6 us 7 us 6 V 150 mW - 40 C + 110 C FOD8802A Tube