Rezultatai: 17
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Prekinis pavadinimas
Pakavimas
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
Duomenų Lapas
2 654Prieinamumas
5 000Tikėtina 2026-07-02
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT SON-8 N-Channel 1 Channel 200 V 44 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 17 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
Duomenų Lapas
713Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 61 A 15.5 mOhms 20 V 4.5 V 31 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
Duomenų Lapas
332Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 61 A 15.5 mOhms 20 V 4.5 V 31 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
Duomenų Lapas
2 395Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole PG-TO220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 116 A 8.7 mOhms 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
Duomenų Lapas
3 142Prieinamumas
3 600Tikėtina 2026-05-26
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 800

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 200 V 140 A 6.8 mOhms 20 V 4.5 V 71 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >150 - 400V
Duomenų Lapas
6 278Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TSON-8-3 N-Channel 1 Channel 200 V 88 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 39 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
Duomenų Lapas
518Prieinamumas
5 000Tikėtina 2026-05-26
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT PG-TO263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 116 A 8.7 mOhms 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
Duomenų Lapas
520Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 200 V 87 A 12 mOhms 20 V 4.5 V 37 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >150 - 400V
Duomenų Lapas
1 415Prieinamumas
2 000Tikėtina 2026-05-28
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 N-Channel 1 Channel 200 V 134 A 6.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 73 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >150 - 400V
Duomenų Lapas
1 486Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 200 V 138 A 6.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 72 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >150 - 400V
Duomenų Lapas
2 329Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 39 A 33.9 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 15.9 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >150 - 400V
Duomenų Lapas
1 785Prieinamumas
1 980Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 200 V 87 A 12.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 37 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >150 - 400V
Duomenų Lapas
6 995Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 200 V 26 A 52 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 9.9 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >150 - 400V
Duomenų Lapas
469Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 200 V 87 A 12.9 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 37 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >150 - 400V
Duomenų Lapas
39Prieinamumas
2 500Tikėtina 2026-05-26
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 136 A 6.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 73 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >150 - 400V
Duomenų Lapas
77Prieinamumas
4 000Tikėtina 2026-06-11
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 39 A 33.9 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 15.9 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >150 - 400V
Duomenų Lapas
9 900Tikėtina 2027-03-25
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 200 V 74 A 15.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 31 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel