QPD1035 GaN RF Power Transistors

Qorvo QPD1035 GaN RF Power Transistors are 40W discrete GaN on SiC HEMTs operating from DC to 6GHz with a 50V supply. The Qorvo QPD1035 transistors feature an input pre-match, making it ideal for broadband amplifiers in pulsed and CW operations. The devices are lead-free and RoHS-compliant.

Rezultatai: 2
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Pd - skaidos galia
Qorvo GaN FET 30W, DC - 6GHz 46Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 50

Flanged - 40 C + 85 C 50.4 W
Qorvo GaN FET 30W, DC - 6GHz, Flanged
100Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 50

Flanged - 40 C + 85 C 50.4 W