Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

IXSA80N120L2-7TR

Name: IXYS IXSA80N120L2-7TR
Brand: IXYS
SKU: 747-IXSA80N120L2-7TR
Price: 10.32 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

747-IXSA80N120L2-7TR

Mfr. #:

IXSA80N120L2-7TR

Gam.:

IXYS

Aprašymas:

SiC MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L

Eksploatacijos Laikotarpis:

Naujas Produktas:

Naujiena iš šio gamintojo.

Duomenų Lapas:

IXSA80N120L2-7TR Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie IXYS IXSA80N120L2-7TR

Prieinamumas: 760

Turime sandėlyje:: 760 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 27 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	10,32 €	10,32 €
	8,40 €	84,00 €
	6,58 €	658,00 €
	6,24 €	3 120,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 800)
	6,04 €	4 832,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	IXYS
Gaminio kategorija:	SiC MOSFET
RoHS:
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	TO-263-7L
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	1.2 kV
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	79 A
RDS On - Drain-Source Varža:	39 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	4.5 V
Qg – vartų krūvis:	135 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pd - skaidos galia:	395 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekės Ženklas:	IXYS
Configuration:	Single
Rudens laikas:	13.6 ns
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Gaminys:	MOSFETs
Gaminio tipas:	SiC MOSFETS
Kilimo Laikas:	24.6 ns
Serija:	IXSA80N120L2-7
Gamyklinės pakuotės kiekis:	800
Subkategorija:	Transistors
Technologijos:	SiC
Tipas:	SiC MOSFET
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	28.6 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	15.4 ns
Tranzistoriaus tipas:	1 N-Channel

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

IXSA80N120L2-7TR Duomenų Lapas (PDF)

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET

IXYS IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET is an industrial-grade, single-switch SiC MOSFET exhibiting power cycling characteristics and very fast, low-loss switching behavior. This MOSFET features low conduction losses, low gate drive power requirements, and low thermal management effort and is optimized for gate control. The IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET is used for high-speed industrial switch-mode power supplies. This SiC MOSFET is ideal for solar inverters, switch-mode power supplies, UPS, motor drives, DC/DC converters, EV charging infrastructure, and induction heating.