STD12N60DM2AG

STMicroelectronics
511-STD12N60DM2AG
STD12N60DM2AG

Gam.:

Aprašymas:
MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas

Turime sandėlyje:
Ne Sandėlyje Esantys
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
16 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Pakuotė:
Visa Ritė (Užsakoma po 2500)

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“
2,74 € 2,74 €
1,78 € 17,80 €
1,31 € 131,00 €
1,10 € 550,00 €
1,07 € 1 070,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 2500)
0,894 € 2 235,00 €
0,862 € 4 310,00 €
† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami.

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
STMicroelectronics
Gaminio kategorija: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
650 V
10 A
440 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
14.5 nC
- 55 C
+ 150 C
110 W
Enhancement
AEC-Q101
MDmesh
Reel
Cut Tape
MouseReel
Prekės Ženklas: STMicroelectronics
Configuration: Single
Rudens laikas: 9.5 ns
Gaminio tipas: MOSFETs
Kilimo Laikas: 8 ns
Serija: STD12N60DM2AG
Gamyklinės pakuotės kiekis: 2500
Subkategorija: Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė: 30 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė: 15 ns
Tranzistoriaus tipas: 1 N-Channel
Vieneto Svoris: 330 mg
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

STD12N60DM2AG N-channel Power MOSFET

STMicroelectronics STD12N60DM2AG N-channel Power MOSFET is a part of the MDmesh™ DM2 fast-recovery diodes. This automotive-grade N-channel power MOSFET offers very low recovery charge (Qrr) and recovery time (trr) combined with low RDS(on). This power MOSFET features low gate charge, low input capacitance, low on-resistance, high dv/dt ruggedness, and Zener-protection. STMicroelectronics STD12N60DM2AG N-channel Power MOSFET is suitable for demanding high-efficiency converters and for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.