Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

SIA433EDJ-T1-GE3

Name: Vishay SIA433EDJ-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SIA433EDJ-GE3
Price: 1.01 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

781-SIA433EDJ-GE3

Mfr. #:

SIA433EDJ-T1-GE3

Gam.:

Vishay Semiconductors

Aprašymas:

MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

Duomenų Lapas:

SIA433EDJ-T1-GE3 Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Vishay Semiconductors SIA433EDJ-T1-GE3

Prieinamumas: 3 295

Turime sandėlyje:: 3 295 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 3 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Pakuotė:

Visa Ritė (Užsakoma po 3000)

Pjaunama Juosta

"MouseReel"™ (+5,00 €)

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“ ^†
	1,01 €	1,01 €
	0,625 €	6,25 €
	0,425 €	42,50 €
	0,343 €	171,50 €
	0,298 €	298,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 3000)
	0,278 €	834,00 €
	0,257 €	1 542,00 €
	0,256 €	2 304,00 €

† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Vishay
Gaminio kategorija:	MOSFETs
RoHS:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	SC-70-6
Tranzistoriaus poliškumas:	P-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	20 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	12 A
RDS On - Drain-Source Varža:	15 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 12 V, 12 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	1.2 V
Qg – vartų krūvis:	75 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	19 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekinis pavadinimas:	TrenchFET, PowerPAK
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Pakavimas:	MouseReel
Prekės Ženklas:	Vishay Semiconductors
Configuration:	Single
Rudens laikas:	3.5 us
Tiesioginis laidumas - min:	35 S
Gaminio tipas:	MOSFETs
Kilimo Laikas:	0.6 us
Serija:	SIA
Gamyklinės pakuotės kiekis:	3000
Subkategorija:	Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	10 us
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	0.3 us
Tranzistoriaus tipas:	1 P-Channel
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai:	SIA433EDJ-GE3
Vieneto Svoris:	41 mg

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

SIA433EDJ-T1-GE3 Duomenų Lapas

Models

PCN

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

Reglamentavimo kodai

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Klasifikacija pagal kilmę

Kilmės šalis:: Vokietija
Šalis, kurioje pagaminta:: Ne
Distribucijos šalis:: Ne

Šalis gali keistis siuntimo metu.

SiA433EDJ 20V P-Channel TrenchFET® Gen III MOSFET

Vishay / Siliconix SiA433EDJ 20V P-Channel TrenchFET® Gen III MOSFET offers low on-resistance and operates in a -55°C to +150°C temperature range. This power MOSFET is available in a single-configuration PowerPAK® SC-70 package size. The device provides an on-resistance rating that accommodates a wide range of applications. Other features include built-in ESD protection with a Zener diode. Vishay / Siliconix SiA433EDJ 20V P-Channel TrenchFET Gen III MOSFET is ideal for applications that include portable devices, load switches, battery switches, and charger switches.

TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen III P-Channel Power MOSFETs feature low on-resistance, low-voltage drops, increased efficiency, and battery time. These power MOSFETs are available in a variety of package sizes, including micro-foot, PowerPAK®, and TSOP-6. Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen III P-Channel Power MOSFETs offer on-resistance ratings that accommodate a wide range of applications. Typical applications include load switches, adapter switches, battery switches, DC motors, and charger switches.

Industrial Power Solutions

Vishay Industrial Power Solutions feature a broad selection of semiconductor and passive components for industrial power supply applications. These products offer access to advanced technology and reliable components essential for creating robust, durable, and efficient industrial products. The Vishay product portfolio for industrial power supplies includes power MOSFETs, power ICs, rectifiers, diodes, capacitors, resistors, and inductors.

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK^® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.