62mm C Series TRENCHSTOP IGBT7 Modules

Infineon Technologies 62mm C Series TRENCHSTOP™ IGBT7 Modules offer high power density and a positive temperature coefficient. The TRENCHSTOP IGBT7 technology and standard housing make the modules ideal for servo drives, UPS systems, and commercial agriculture vehicles. The Infineon 62mm C Series TRENCHSTOP IGBT7 Modules are qualified for industrial applications.

Rezultatai: 7
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Gaminys
Configuration
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa
Nuolatinė kolektoriaus srovė esant 25 C
Užtvaro sklaidos įrenginio nuotėkio srovė
Pakuotė / Korpusas
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pakavimas
Infineon Technologies Igbt Moduliai 62 mm C-Series module with TRENCHSTOP IGBT7 and emitter controlled 7 diode
Duomenų Lapas
30Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Module Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1700 V, 600 A dual IGBT module
Duomenų Lapas
24Prieinamumas
8Tikėtina 2026-06-11
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 450 A common emitter IGBT module
Duomenų Lapas
29Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 450 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 800 A dual IGBT module
Duomenų Lapas
30Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Module Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 800 A dual IGBT module
Duomenų Lapas
28Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Module Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 450 A dual IGBT module
Duomenų Lapas
32Tikėtina 2026-06-11
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 450 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 600 A dual IGBT module
Duomenų Lapas
32Tikėtina 2026-06-11
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray