SiCPAK™ F/G 1200V High-Power Modules

GeneSiC Semiconductor SiCPAK™ F/G 1200V High-Power Modules are designed for superior performance and robustness while meeting industry-standard footprints with pin-to-pin combability. These modules are robust, high-voltage, high-efficiency SiC MOSFETs, critical for reliable, harsh-environment, high-power applications. The SiCPAK™ F/G Modules enable expanded applications ranging from 10s kW to MW in rail, EV, fast charging, industry, solar, wind, and energy storage. Epoxy-resin potting technology provides high reliability and improved power/temperature cycling.

Rezultatai: 12
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Serija
Pakavimas
GeneSiC Semiconductor MOSFET moduliai 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module
Duomenų Lapas
96Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 216 A 4.6 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 444 mW SiCPAK G Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET moduliai 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
Duomenų Lapas
93Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 216 A 4.6 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 444 mW SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET moduliai 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module
Duomenų Lapas
96Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 104 A 12.5 mOhms - 40 C + 175 C 216 W SiCPAK G Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET moduliai 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
Duomenų Lapas
96Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 104 A 12.5 mOhms - 40 C + 175 C 216 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET moduliai 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
Duomenų Lapas
71Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 109 A 12.5 mOhms 2.7 V - 40 C + 175 C 238 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET moduliai 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
Duomenų Lapas
96Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 109 A 12.5 mOhms 2.7 V - 40 C + 175 C 238 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET moduliai 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
Duomenų Lapas
96Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 68 A 23 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 170 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET moduliai 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
Duomenų Lapas
94Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 68 A 23 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 170 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET moduliai 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module
Duomenų Lapas
96Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 53 A 24 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 106 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET moduliai 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module. TIM
Duomenų Lapas
96Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 53 A 24 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 106 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET moduliai 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module
Duomenų Lapas
96Tikėtina 2026-04-17
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC Press Fit SiCPAK G 1.2 kV 9.3 mOhms SiCPAK G Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET moduliai 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module, TIM
Duomenų Lapas
96Tikėtina 2026-04-17
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC Press Fit SiCPAK G 1.2 kV 9.3 mOhms SiCPAK F Tray