F3L200R07W2S5FP EasyPACK™ IGBT Modules

Infineon Technologies F3L200R07W2S5FP EasyPACK™ IGBT Modules feature up to 650V increased blocking voltage capability and employ CoolSiC™ Schottky diode (gen5). These devices are based on TRENCHSTOP™ IGBT5  and PressFIT contact technology. The F3L200R07W2S5FP IGBT modules provide strongly reduced switching losses and an Al2O3 substrate with low thermal resistance. These modules come with a compact design comprising rugged mounting due to integrated mounting clamps and pre-applied thermal interface material. The F3L200R07W2S5FP IGBT modules are ideal for motor drives, solar applications, 3-level applications, and UPS systems.  

Rezultatai: 3
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Gaminys Configuration Collector- Emitter Voltage VCEO Max Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa Nuolatinė kolektoriaus srovė esant 25 C Užtvaro sklaidos įrenginio nuotėkio srovė Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Pakavimas
Infineon Technologies Igbt Moduliai 650 V, 200 A 3-level IGBT module Vykdymo Laikas 10 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 650 V 1.17 V 200 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 650 V, 200 A 3-level IGBT module Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 10 Savaičių
Min.: 18
Daugkart.: 18

Tray
Infineon Technologies F3L200R07W2S5FPB56BPSA1
Infineon Technologies Igbt Moduliai 650 V, 200 A 3-level IGBT module Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 10 Savaičių
Min.: 18
Daugkart.: 18

Tray