|
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės Isolated Dual-Channel IGBT Gate Driver with >8mm Creepage and Clearance
- NCD57540DWKR2G
- onsemi
-
1:
3,98 €
-
951Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NCD57540DWKR2G
|
onsemi
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės Isolated Dual-Channel IGBT Gate Driver with >8mm Creepage and Clearance
|
|
951Prieinamumas
|
|
|
3,98 €
|
|
|
3,03 €
|
|
|
2,79 €
|
|
|
2,48 €
|
|
|
2,17 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
2,26 €
|
|
|
2,18 €
|
|
|
2,09 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės 5 kVrms Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
- NCP51561DADWR2G
- onsemi
-
1:
3,16 €
-
589Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NCP51561DADWR2G
|
onsemi
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės 5 kVrms Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
|
|
589Prieinamumas
|
|
|
3,16 €
|
|
|
2,38 €
|
|
|
2,18 €
|
|
|
1,98 €
|
|
|
1,68 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,93 €
|
|
|
1,71 €
|
|
|
1,63 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET DISCRETE SIC M3S 1200V 13MOHM
- NTH4L013N120M3S
- onsemi
-
1:
27,06 €
-
246Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NTH4L013N120M3S
Naujas Produktas
|
onsemi
|
SiC MOSFET DISCRETE SIC M3S 1200V 13MOHM
|
|
246Prieinamumas
|
|
|
27,06 €
|
|
|
20,65 €
|
|
|
20,59 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES
- NXH003P120M3F2PTNG
- onsemi
-
1:
211,00 €
-
58Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-H003P120M3F2PTNG
|
onsemi
|
MOSFET moduliai 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES
|
|
58Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės 5 kVRMS Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
- NCP51563CADWR2G
- onsemi
-
1:
3,16 €
-
1 667Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NCP51563CADWR2G
|
onsemi
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės 5 kVRMS Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
|
|
1 667Prieinamumas
|
|
|
3,16 €
|
|
|
2,38 €
|
|
|
2,18 €
|
|
|
1,98 €
|
|
|
1,80 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,82 €
|
|
|
1,80 €
|
|
|
1,63 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L
- NTBG022N120M3S
- onsemi
-
1:
15,76 €
-
819Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NTBG022N120M3S
|
onsemi
|
SiC MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L
|
|
819Prieinamumas
|
|
|
15,76 €
|
|
|
11,85 €
|
|
|
11,35 €
|
|
|
10,60 €
|
|
|
10,60 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės ISOLATED DUAL CHANNEL MOSFET GATE DRIVER
- NCD57253DWR2G
- onsemi
-
1:
3,83 €
-
2 014Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NCD57253DWR2G
|
onsemi
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės ISOLATED DUAL CHANNEL MOSFET GATE DRIVER
|
|
2 014Prieinamumas
|
|
|
3,83 €
|
|
|
2,91 €
|
|
|
2,68 €
|
|
|
2,43 €
|
|
|
2,13 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
2,30 €
|
|
|
2,24 €
|
|
|
2,02 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Lietuva
