TRSx SiC Schottky Barrier Diodes

Toshiba TRSx SiC Schottky Barrier Diodes are a 3rd generation chip design with a repetitive peak reverse voltage (VRRM) rating of 1200V. The forward DC current rating (IF(DC)) for the TRS30N120HB is 15A per leg or 30A for both legs, and the TRS40N120HB is 20A per leg or 40A for both legs. These devices are available in a standard TO-247 package. Toshiba TRSx Sic Schottky Barrier Diodes are ideal in power factor correction, solar inverters, uninterruptible power supplies, and DC-DC converter applications.

Rezultatai: 2
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Configuration
Jei – tiesioginė srovė
Vrrm - pasikartojanti atvirkštinė įtampa
Vf - tiesioginė įtampa
Ifsm – tiesioginė viršįtampio srovė
IR - Atvirkštinė Srovė
Didžiausia darbinė temperatūra
Toshiba SiC SCHOTTKY diodai 1200 V/30 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-247
Duomenų Lapas
30Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 Common Cathode 82 A 1.2 kV 1.27 V 1.88 kA 1.4 uA + 175 C
Toshiba SiC SCHOTTKY diodai 1200 V/40 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-247
Duomenų Lapas
24Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 Common Cathode 102 A 1.2 kV 1.27 V 2.16 kA 1.8 uA + 175 C