SIR680ADP-T1-RE3

Vishay Semiconductors
78-SIR680ADP-T1-RE3
SIR680ADP-T1-RE3

Gam.:

Aprašymas:
MOSFETs N-CHANNEL 80V PowerPAK SO-8

Duomenų Lapas:
ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.
Daugiau informacijos
Sužinokite daugiau apie Vishay Semiconductors SIR680ADP-T1-RE3

Prieinamumas: 6 662

Turime sandėlyje:
6 662 Galime išsiųsti iš karto
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Pakuotė:
Visa Ritė (Užsakoma po 3000)

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“ †
2,69 € 2,69 €
1,75 € 17,50 €
1,21 € 121,00 €
1,01 € 505,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 3000)
0,86 € 2 580,00 €
0,842 € 7 578,00 €
† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami. ↩

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
Vishay
Gaminio kategorija: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK-SO-8
N-Channel
1 Channel
80 V
125 A
2.88 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
43 nC, 55 nC
- 55 C
+ 150 C
104 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Prekės Ženklas: Vishay Semiconductors
Configuration: Single
Rudens laikas: 9 ns, 12 ns
Tiesioginis laidumas - min: 68 S
Gaminio tipas: MOSFETs
Kilimo Laikas: 8 ns, 15 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis: 3000
Subkategorija: Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė: 30 ns, 30 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė: 17 ns, 19 ns
Tranzistoriaus tipas: N - Channel
Vieneto Svoris: 506,600 mg
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

SiR680ADP N-Channel (D-S) MOSFET

Vishay SiR680ADP N-Channel (D-S) MOSFET is a TrenchFET® Gen IV power MOSFET featuring low RDS - Qg Figure Of Merit (FOM). This MOSFET is tuned for the lowest RDS to Qoss FOM and 100% Rg and UIS tested. The SiR680ADP MOSFET operates within a -55°C to +150°C temperature range. This MOSFET features an 80V drain-source voltage, ±20V gate-source voltage, and 125A pulse drain current. The SiR680ADP MOSFET comes in a PowerPAK SO-8 package. This MOSFET is ideal for synchronous rectification of primary side switches, DC/DC converters, OR-ing, power supplies, and motor drive control.

TrenchFET® Gen IV MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen IV MOSFETs offer industry-low on-resistance and low total gate charge in the PowerPAK® SO-8 and 1212-8S packages. These TrenchFET Gen IV MOSFETs feature extremely low RDS(on) that translates to lower conduction losses for reduced power consumption. The TrenchFET MOSFETs also come with space-saving PowerPAK® 1212-8 packages with similar efficiency with a third of its size. Typical applications include high-power DC/DC converters, synchronous rectification, solar micro-inverters, and motor drive switches.

Įvyko netikėta klaida.


Turite klausimų? Apsilankykite pagalbos centre.
Jei turite klausimų apie konkretų užsakymą, prisijunkite prie savo paskyros.

Jei susidūrėte su papildomomis problemomis, susisiekite su mumis tel. Nr. 800-346-6873 arba el. paštu help@mouser.com.