Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

RF3L05150CB4

Name: STMicroelectronics RF3L05150CB4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-RF3L05150CB4
Price: 128.35 EUR
Availability: OutOfStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

511-RF3L05150CB4

Mfr. #:

RF3L05150CB4

Gam.:

STMicroelectronics

Aprašymas:

RD MOSFET tranzistoriai 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor

Užbaikite savo projektą

Duomenų Lapas:

RF3L05150CB4 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie STMicroelectronics RF3L05150CB4

Prieinamumas

Turime sandėlyje:: Ne Sandėlyje Esantys

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: Prašyti Pristatymo Pasiūlymo

Pranešama apie ilgą šio gaminio pristatymo laiką.

Įvesti kiekį:

Min. 100 Užsakoma po 100

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
Visa Ritė (Užsakoma po 100)
	128,35 €	12 835,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	STMicroelectronics
Gaminio kategorija:	RD MOSFET tranzistoriai
RoHS:
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Technologijos:	Si
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	2.5 A
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	28 V
RDS On - Drain-Source Varža:	1 Ohms
Darbinis Dažnis:	945 MHz
Gain:	16 dB
Išvesties Galia:	150 W
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 200 C
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	LBB-4
Pakavimas:	Reel
Prekės Ženklas:	STMicroelectronics
Kanalų skaičius:	1 Channel
Gaminio tipas:	RF MOSFET Transistors
Gamyklinės pakuotės kiekis:	100
Subkategorija:	MOSFETs
Tipas:	RF Power MOSFET
Vieneto Svoris:	2,400 g

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

RF3L05150CB4 Duomenų Lapas (PDF)

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

RF3L05150CB4 RF Power LDMOS Transistor

STMicroelectronics RF3L05150CB4 RF Power LDMOS Transistor is a 150W, 28/32V LDMOS FET designed for wide-band communication and ISM applications. The STM RF3L05150CB4 LDMOS Transistor is designed for applications with frequencies from HF to 1GHz. The RF3L05150CB4 can be used in class AB, B, or C for all typical modulation formats.

LET RF Power Transistors

STMicroelectronics LET RF Power Transistors are a common source N-Channel enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. These transistors are based on the new advanced STH5P LDMOS technology and are targeted for operation up to 2.0GHz. STMicroelectronics LET RF Power Transistors are specifically designed for 28V (cellular base stations) and 32/36V (avionics) applications. These devices have a significant improvement in terms of RF performance (+3dB gain, +15% efficiency), ruggedness, and reliability makes this new product line ideal in applications such as private mobile radio, government communications, avionics systems, and L-band satellite uplink equipment.