PJQx 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT PJQx 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed with logic level gate drive in a DFN5060X-8L and DFN3333-8L packages. These MOSFETs feature low on−resistance (RDS(on)), excellent Figure Of Merit (FOM), and ±20 gate-source voltage. The PJQx 30V N-Channel MOSFETs are AEC-Q101 qualified and are lead-free in compliance with EU RoHS 2.0 standards. These MOSFETs are ideal for automotive applications.

Rezultatai: 22
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Kvalifikacija
Pakavimas
Panjit MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Duomenų Lapas
4 698Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 5 000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 80 A 4.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 175 C 45.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Duomenų Lapas
5 000Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 5 000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 55 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10.7 nC - 55 C + 175 C 32 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Duomenų Lapas
4 899Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 5 000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 65 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 175 C 37.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Duomenų Lapas
5 000Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 5 000

Si AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Duomenų Lapas
4 986Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 5 000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 38 A 9.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 21.4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Duomenų Lapas
2 980Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 93 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Duomenų Lapas
2 996Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Si SMD/SMT DFN-5060X-8 N-Channel 1 Channel 30 V 85 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 41.7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Duomenų Lapas
3 000Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 73 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Duomenų Lapas
2 996Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Si SMD/SMT DFN-5060X-8 N-Channel 1 Channel 30 V 68 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 35.7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Duomenų Lapas
2 585Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 61 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 31.3 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Duomenų Lapas
2 980Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Si SMD/SMT DFN-5060X-8 N-Channel 1 Channel 30 V 58 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Duomenų Lapas
3 000Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 16.7 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 12.4 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Duomenų Lapas
3 000Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Si SMD/SMT DFN-5060X-8 N-Channel 1 Channel 30 V 49 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 12.4 nC - 55 C + 150 C 27.8 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Duomenų Lapas
3 000Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 39 A 9.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 23 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Duomenų Lapas
2 995Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Si SMD/SMT DFN-5060X-8 N-Channel 1 Channel 30 V 37 A 8.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.5 nC - 55 C + 150 C 19.2 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 5 000
Daugkart.: 5 000
Reel: 5 000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 75 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 38 W Enhancement Reel
Panjit MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 5 000
Daugkart.: 5 000
Reel: 5 000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 62 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 31.3 W Enhancement Reel
Panjit MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 5 000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 51 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10.7 nC - 55 C + 150 C 26.6 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 5 000
Daugkart.: 5 000
Reel: 5 000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 45 A 7.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 12.4 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel
Panjit MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 5 000
Daugkart.: 5 000
Reel: 5 000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 36 A 8.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.5 nC - 55 C + 150 C 18 W Enhancement Reel
Panjit MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 152 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 45 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 3 000
Daugkart.: 3 000
Reel: 3 000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 29.6 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 43 nC - 55 C + 175 C 3.3 W Enhancement AEC-Q101 Reel