Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

STP80N600K6

Name: STMicroelectronics STP80N600K6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP80N600K6
Price: 2.72 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

511-STP80N600K6

Mfr. #:

STP80N600K6

Gam.:

STMicroelectronics

Aprašymas:

MOSFETs N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET

Užbaikite savo projektą

Duomenų Lapas:

STP80N600K6 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie STMicroelectronics STP80N600K6

Prieinamumas: 888

Turime sandėlyje:: 888 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 13 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	2,72 €	2,72 €
	1,38 €	13,80 €
	1,27 €	127,00 €
	1,07 €	535,00 €
	0,86 €	860,00 €
	0,855 €	4 275,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	STMicroelectronics
Gaminio kategorija:	MOSFETs
RoHS:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	TO-220-3
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	800 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	7 A
RDS On - Drain-Source Varža:	600 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 30 V, 30 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	4 V
Qg – vartų krūvis:	10.7 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	86 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Pakavimas:	Tube
Prekės Ženklas:	STMicroelectronics
Rudens laikas:	12.6 ns
Gaminio tipas:	MOSFETs
Kilimo Laikas:	4.1 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	50
Subkategorija:	Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	28.2 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	9 ns
Tranzistoriaus tipas:	1 N-Channel
Vieneto Svoris:	2 g

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

STP80N600K6 Duomenų Lapas (PDF)

PCN

SPICE Models

STP80N600K6 (Zip)

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STP80N600K6 MDmesh K6 Power MOSFET

STMicroelectronics STP80N600K6 MDmesh K6 Power MOSFET offers a very high voltage, N-channel power solution utilizing the ultimate MDmesh K6 technology. This K6 technology is based on 20 years of STMicroelectronics experience in super junction technology. The result of this technology allows the STMicro STP80N600K6 to feature best-in-class on-resistance per area and gate charge for applications demanding superior power density and high efficiency.

N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs are Zener-protected and 100% avalanche-tested. These power MOSFETs feature 800V minimum drain-source breakdown voltage, ±30V gate-source voltage, and -55°C to 150°C operating junction temperature range. The MDmesh K6 Power MOSFETs also feature 5V/ns peak diode recovery voltage slope, 100A/µs peak diode recovery current slope, and 120V/ns MOSFET dv/dt ruggedness. Typical applications include notebook and AIO, flyback converters, adapters for tablets, and LED lighting.