RM150N60HD N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Rectron RM150N60HD N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET uses advanced Trench technology and design to provide excellent RDS(ON) and a low gate charge. This device features good stability and uniformity with high single pulse avalanche energy. The RM150N60HD is ideal for hard-switched and high-frequency circuits, power switching, and uninterruptible power supplies.

Rezultatai: 2
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Pakavimas
Rectron MOSFETs
Duomenų Lapas
683Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 800

Si SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2) N-Channel 1 Channel 60 V 150 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 163 nC - 55 C + 175 C 220 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Rectron MOSFETs MOSFET D2-PAK
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1 600
Daugkart.: 800
Reel: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 150 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 163 nC - 55 C + 175 C 220 W Enhancement Reel