SISS94DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors
78-SISS94DN-T1-GE3
SISS94DN-T1-GE3

Gam.:

Aprašymas:
MOSFETs N-CHANNEL 200-V(D-S) PowerPAK 1212-8S

Duomenų Lapas:
ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.
Daugiau informacijos
Sužinokite daugiau apie Vishay Semiconductors SISS94DN-T1-GE3

Prieinamumas: 26 727

Turime sandėlyje:
26 727 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
31 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Pakuotė:
Visa Ritė (Užsakoma po 3000)

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“ †
1,23 € 1,23 €
0,776 € 7,76 €
0,514 € 51,40 €
0,402 € 201,00 €
0,366 € 366,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 3000)
0,343 € 1 029,00 €
† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami. ↩

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
Vishay
Gaminio kategorija: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212-8SH-8
N-Channel
1 Channel
200 V
19.5 A
75 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
11 nC
- 55 C
+ 150 C
65.8 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Prekės Ženklas: Vishay Semiconductors
Configuration: Single
Rudens laikas: 7 ns
Tiesioginis laidumas - min: 12 S
Gaminio tipas: MOSFETs
Kilimo Laikas: 5 ns
Serija: SISS
Gamyklinės pakuotės kiekis: 3000
Subkategorija: Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė: 20 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė: 12 ns
Tranzistoriaus tipas: 1 N-Channel
Vieneto Svoris: 488,500 mg
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

SISS94DN ThunderFET® MOSFET

Vishay SISS94DN ThunderFET® MOSFET is an N-channel 200VDS device that uses TrenchFET® with ThunderFET technology. This ThunderFET MOSFET optimizes the balance of RDS(on), Qg, Qsw, and Qoss. The device is 100% Rg and Unclamped Inductive Switching (UIS) tested. This SISS94DN MOSFET is available in a PowerPAK 1212-8S package and is Lead (Pb)-free and halogen-free (SiSS94DN-T1-GE3). The MOSFET operates from -55°C to +150°C temperature range and comes in a single configuration. Typical applications include primary side switching, synchronous rectification, DC/DC topologies, lighting, load switches, and motor drive control.

ThunderFET® Power MOSFETs

Vishay / Siliconix ThunderFET® Power MOSFETs provide low values of on-resistance for 100V MOSFETs with 4.5V ratings. The lower on-resistance translates into lower conduction losses and reduced power consumption for energy-saving green solutions. Vishay / Siliconix ThunderFET Power MOSFETs are optimized for primary-side switching and secondary-side synchronous rectification in isolated DC/DC power supply designs for telecom brick and bus converter applications. The 4.5V rating for on-resistance allows a wide range of PWM and gate driver ICs to be considered.

Įvyko netikėta klaida.


Turite klausimų? Apsilankykite pagalbos centre.
Jei turite klausimų apie konkretų užsakymą, prisijunkite prie savo paskyros.

Jei susidūrėte su papildomomis problemomis, susisiekite su mumis tel. Nr. 800-346-6873 arba el. paštu help@mouser.com.