NTH4L075N065SC1

onsemi
863-NTH4L075N065SC1
NTH4L075N065SC1

Gam.:

Aprašymas:
SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V

Duomenų Lapas:
ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.
Daugiau informacijos
Sužinokite daugiau apie onsemi NTH4L075N065SC1

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
onsemi
Gaminio kategorija: SiC MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-4
1 Channel
650 V
38 A
85 mOhms
- 8 V, + 22 V
4.3 V
61 nC
- 55 C
+ 175 C
148 W
Enhancement
EliteSiC
Prekės Ženklas: onsemi
Configuration: Single
Rudens laikas: 7 ns
Tiesioginis laidumas - min: 9 S
Pakavimas: Tube
Gaminio tipas: SiC MOSFETS
Kilimo Laikas: 12 ns
Serija: NTH4L075N065SC1
Gamyklinės pakuotės kiekis: 30
Subkategorija: Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė: 20 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė: 10 ns
Tranzistoriaus poliškumas: N-Channel
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Duomenų Lapas

PCN

Reglamentavimo kodai
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Klasifikacija pagal kilmę
Kilmės šalis:
Kinija
Šalis, kurioje pagaminta:
Kinija
Distribucijos šalis:
Pietų Korėja
Šalis gali keistis siuntimo metu.

NTH4L075N065SC1 57mohm Silicon Carbide MOSFET

onsemi NTH4L075N065SC1 57mohm Silicon Carbide MOSFET is housed in a TO-247-4L package and designed to be fast and rugged. The onsemi NTH4L075N065SC1 devices offer a 10x higher dielectric breakdown field strength and 2x higher electron saturation velocity. The MOSFETs also offer a 3x higher energy band gap and 3x higher thermal conductivity. All onsemi SiC MOSFETs include AEC-Q101 qualified and PPAP-capable options specifically engineered and qualified for automotive and industrial applications.

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low RDS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).

650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi 650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon (Si). These 650V SiC MOSFETs have low ON resistance and a compact chip size to ensure low capacitance and gate charge. Benefits include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

Prieinamumas: 756

Turime sandėlyje:
756 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
53 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Didesniam nei 756 kiekiui taikomi minimalaus užsakymo reikalavimai.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
9,37 € 9,37 €
5,36 € 53,60 €
4,95 € 594,00 €
4,91 € 2 504,10 €

Įvyko netikėta klaida.


Turite klausimą? Prašome apsilankyti pagalbos centre.
Jei turite klausimų dėl konkretaus užsakymo, prisijunkite prie savo paskyros.

Jei susidursite su kitomis problemomis, prašome susisiekti su mumis 800-346-6873 arba parašyti el. laišką adresu help@mouser.com.