Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

NVBG160N120SC1

Name: onsemi NVBG160N120SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBG160N120SC1
Price: 10.27 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

863-NVBG160N120SC1

Mfr. #:

NVBG160N120SC1

Gam.:

onsemi

Aprašymas:

SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V

Duomenų Lapas:

NVBG160N120SC1 Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie onsemi NVBG160N120SC1

Prieinamumas: 981

Turime sandėlyje:: 981 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 12 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Pakuotė:

Visa Ritė (Užsakoma po 800)

Pjaunama Juosta

"MouseReel"™ (+5,00 €)

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“ ^†
	10,27 €	10,27 €
	6,98 €	69,80 €
	6,27 €	627,00 €
	6,04 €	3 020,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 800)
	5,85 €	4 680,00 €

† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	onsemi
Gaminio kategorija:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	D2PAK-7
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	1.2 kV
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	19.5 A
RDS On - Drain-Source Varža:	224 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	4.3 V
Qg – vartų krūvis:	33.8 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pd - skaidos galia:	136 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Kvalifikacija:	AEC-Q101
Prekinis pavadinimas:	EliteSiC
Prekės Ženklas:	onsemi
Configuration:	Single
Rudens laikas:	7.4 ns
Tiesioginis laidumas - min:	5.5 S
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Pakavimas:	MouseReel
Gaminio tipas:	SiC MOSFETS
Kilimo Laikas:	11 ns
Serija:	NVBG160N120SC1
Gamyklinės pakuotės kiekis:	800
Subkategorija:	Transistors
Technologijos:	SiC
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	15 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	11 ns

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

NVBG160N120SC1 Duomenų Lapas

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NVBG160N120SC1 160mΩ SiC MOSFET

onsemi NVBG160N120SC1 160mΩ SiC MOSFET provides superior switching performance and higher reliability compared to silicon. This MOSFET features 1200V drain-to-source voltage (V_DSS) and 19.5A maximum drain current (I_D). The NVBG160N120SC1 MOSFET offers low ON resistance and a compact chip size that ensures low capacitance and gate charge. This MOSFET provides high efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced electromagnetic interference (EMI), and reduced system size. onsemi NVBG160N120SC1 MOSFET is qualified for automotive applications like automotive onboard chargers and DC/DC converters for electric vehicles (EVs)/hybrid vehicles (HEVs) according to the AEC-Q101 standards.

M1 EliteSiC MOSFETs

onsemi M1 EliteSiC MOSFETs feature voltage ratings of 1200V and 1700V. The onsemi M1 MOSFETs are designed to meet the requirements of high-power applications that demand reliability and efficiency. The M1 EliteSiC MOSFETs are available in various package options, including D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD, and bare die.

Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.

1200V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs

onsemi 1200V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs provide superior switching performance and high reliability compared to silicon. These MOSFETs offer low on-resistance that ensures low capacitance and gate charge. The 1200V EliteSiC MOSFETs provide system benefits, including high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. These MOSFETs feature blocking voltage, high-speed switching, and low capacitance and operate at -55°C to +175°C temperature range. The 1200V SiC MOSFETs are AEC-Q101 automotive qualified and are RoHS compliant. These MOSFETs are suited for boost inverters, charging stations, DC-DC inverters, DC-DC converters, onboard chargers (OBCs), motor control, industrial power supplies, and server power supplies.