4G/5G Low Noise Amplifiers

Infineon Technologies 4G/5G Low Noise Amplifiers are designed for LTE and 5G, covering a wide frequency range. The 4G/5G Low Noise Amplifiers gain step features the gain and linearity that can adjust to increase the dynamic system range and accommodate changing interference scenarios.

Rezultatai: 3
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Darbinis Dažnis
Darbinė Maitinimo Įtampa
Darbinė Maitinimo Srovė
Gain
NF - triukšmo koeficientas
Tipas
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Technologijos
P1dB - suspaudimo taškas
OIP3 – trečiosios eilės perėmimas
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pakavimas
Infineon Technologies RF Stiprintuvas RF MMIC 3 TO 6 GHZ
Duomenų Lapas
11 112Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 15 000
1.4 GHz to 2.7 GHz 1.8 V 5.8 mA 20.2 dB 11.5 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT TSNP-9-2 Si - 17 dBm Reel, Cut Tape
Infineon Technologies RF Stiprintuvas 7x LNA Bank with Output Cross-Switch for 5G
Duomenų Lapas
5 000Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

600 MHz to 2.7 GHz 1.2 V, 1.8 V 21 dB 0.8 dB SMD/SMT PG-WF2BGA-50-2 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies RF Stiprintuvas RF MMIC 3 TO 6 GHZ
Duomenų Lapas
4 175Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 12 000

2.3 GHz to 2.7 GHz 1.1 V to 3.3 V 2.2 mA 20.3 dB 0.6 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT TSNP-6-10 Si - 17 dBm - 7 dBm - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape, MouseReel