CFD7 CoolMOS™ MOSFETs

Infineon Technologies CFD7 CoolMOS™ MOSFETs are ideal for resonant high power topologies and feature high voltage superjunction MOSFET technology. The MOSFETs have an integrated fast body diode and completes the CoolMOS 7 series. Typical high power switch-mode power supply (SMPS) applications include server, telecom, and EV charging stations.

Rezultatai: 78
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas Tranzistoriaus poliškumas Kanalų skaičius Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa svar. – nuolatinio išleidimo srovė RDS On - Drain-Source Varža Vgs - užtūros-šaltinio įtampa Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa Qg – vartų krūvis Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Pd - skaidos galia Kanalas Mode Kvalifikacija Prekinis pavadinimas Pakavimas
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW 358Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 237 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 18 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS 412Prieinamumas
1 000Tikėtina 2026-03-05
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 230 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 23 nC - 40 C + 150 C 63 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW 490Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 42 nC - 40 C + 150 C 124 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW 59Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 95 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 53 nC - 40 C + 150 C 171 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW 25Prieinamumas
500Tikėtina 2026-09-03
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW 178Prieinamumas
240Tikėtina 2026-02-16
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 77 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 183 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW 298Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS 215Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 41 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW 152Prieinamumas
1 700Tikėtina 2026-05-21
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 700

Si SMD/SMT HDSOP-10-1 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 170 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 137 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW 73Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW 15Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW 38Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW 358Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 700

Si SMD/SMT HDSOP-10-1 N-Channel 1 Channel 600 V 27 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 176 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW 277Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 14 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 23 nC - 40 C + 150 C 81 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
4 000Tikėtina 2026-08-27
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 67 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 109 nC - 55 C + 150 C 351 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
2 999Tikėtina 2026-03-19
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 95 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 51 nC - 40 C + 150 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
2 990Tikėtina 2026-08-20
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 31 nC - 40 C + 150 C 95 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW Vykdymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 367 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 750
Daugkart.: 750
Reel: 750

Si HDSOP-22 600 V Reel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 1 700
Daugkart.: 1 700
Reel: 1 700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 61 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 79 nC - 55 C + 150 C 379 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 15 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 51 nC - 55 C + 150 C 266 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 19 Savaičių
Min.: 750
Daugkart.: 750
Reel: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 112 A 20 mOhms - 20 V, 30 V 4.5 V 186 nC - 55 C + 150 C 543 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 19 Savaičių
Min.: 750
Daugkart.: 750
Reel: 750

Si - 20 V, 20 V CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 39 Savaičių
Min.: 3 000
Daugkart.: 3 000
Reel: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 36 nC - 40 C + 150 C 127 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW Vykdymo Laikas 19 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 8 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel