Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

APC-E Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are designed to deliver high power, high frequency, and unmatched performance for demanding applications. These MOSFETs are available in 650V and 1200V variants and feature a low forward voltage drop, high switching speeds, and robust reliability, making the MOSFETs ideal for industrial power supplies, energy storage, motor driving, data centers, server farms, and electric vehicle (EV) charging. These APC-E SiC MOSFETs are engineered to improve energy efficiency, reduce system size and weight, and enable modern system architectures. The devices are paired with custom-designed gate drivers to ensure optimal performance and reliability.

Rezultatai: 20
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
APC-E SiC MOSFET 650V 50mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Duomenų Lapas
288Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 45 nC - 55 C + 175 C 198 W Enhancement
APC-E SiC MOSFET 1200V 75mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Duomenų Lapas
300Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27 A 98 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 40 nC - 55 C + 175 C 151 W Enhancement
APC-E SiC MOSFET 1200V 75mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Duomenų Lapas
300Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27 A 98 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 40 nC - 55 C + 175 C 151 W Enhancement
APC-E SiC MOSFET 650V 50mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Duomenų Lapas
300Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 45 nC - 55 C + 175 C 198 W Enhancement
APC-E SiC MOSFET 650V 27mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Duomenų Lapas
300Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 76 A 35 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 80 nC - 55 C + 175 C 298 W Enhancement
APC-E SiC MOSFET 1200V 30mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Duomenų Lapas
300Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 57 A 42 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 91 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
APC-E SiC MOSFET 1200V 13mR, TO247-4L, Industrial Grade
Duomenų Lapas
300Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 160 A 16 mOhms - 10 V, 25 V 3.6 V 213 nC - 55 C + 175 C 750 W Enhancement
APC-E SiC MOSFET 1200V 13mR, TO247-4L, Automotive Grade
Duomenų Lapas
300Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 145 A 13 mOhms 18 V + 175 C
APC-E SiC MOSFET 650V 27mR, SAPKG-9L, Automotive Grade
Duomenų Lapas
600Tikėtina 2026-08-28
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 600

SMD/SMT SAPKG-9L N-Channel 1 Channel 650 V 81 A 35 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 87 nC - 55 C + 175 C 298 W Enhancement
APC-E SiC MOSFET 650V 35mR, TO-247-4L, Automotive Grade
300Tikėtina 2026-04-03
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4L 650 V
APC-E SiC MOSFET 1200V 20mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Duomenų Lapas
300Tikėtina 2026-04-03
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 88 A 26 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 154 nC - 55 C + 175 C 403 W Enhancement
APC-E SiC MOSFET 650V 27mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Duomenų Lapas
300Tikėtina 2026-03-27
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 76 A 35 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 80 nC - 55 C + 175 C 298 W Enhancement
APC-E SiC MOSFET 1200V 30mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Duomenų Lapas
300Tikėtina 2026-03-27
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 58 A 42 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 91 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement

APC-E SiC MOSFET 650V 65mR, TO-247-3L, Automotive Grade
300Tikėtina 2026-05-01
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3L 650 V
APC-E SiC MOSFET 650V 35mR, TO-247-4L, Industrial Grade
300Tikėtina 2026-04-03
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4L 650 V

APC-E SiC MOSFET 650V 65mR, TO-247-3L, Industrial Grade
300Tikėtina 2026-05-01
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3L 650 V
APC-E SiC MOSFET 1700V 1000mR, TO247-3L, Industrial Grade
Duomenų Lapas
300Tikėtina 2026-03-27
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 1.7 kV 6.8 A 1 kOhms 20 V + 175 C
APC-E SiC MOSFET 1200V 75mR, TO247-4L, Automotive Grade
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 15 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 41 A 75 mOhms 15 V + 175 C
APC-E SiC MOSFET 1200V 32mR, TO247-4L, Industrial Grade
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 15 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 77 A 32 mOhms 15 V + 175 C
APC-E SiC MOSFET 1200V 75mR, TO247-4L, Industrial Grade
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 15 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 35 A 75 mOhms 15 V + 175 C