NVMFS5832NLWFT1G-UM

onsemi
863-FS5832NLWFT1G-UM
NVMFS5832NLWFT1G-UM

Gam.:

Aprašymas:
MOSFETs Power MOSFET 40V, 120A, 4.2 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL, Logic Level.

Eksploatacijos Laikotarpis:
Naujas Produktas:
Naujiena iš šio gamintojo.
ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.
Daugiau informacijos
Sužinokite daugiau apie onsemi NVMFS5832NLWFT1G-UM

Prieinamumas

Turime sandėlyje:
0

Taip pat galite pirkti šį produktą kaip sandėlyje neesančią prekę.

Pagal užsakymą:
1 500
Tikėtina 2026-04-10
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
40
Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Pranešama apie ilgą šio gaminio pristatymo laiką.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
1,69 € 1,69 €
1,08 € 10,80 €
0,743 € 74,30 €
0,63 € 315,00 €
0,526 € 526,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 1500)
0,526 € 789,00 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
onsemi
Gaminio kategorija: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-5
N-Channel
1 Channel
40 V
120 A
4.2 mOhms
20 V
2.4 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
127 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Prekės Ženklas: onsemi
Configuration: Single
Rudens laikas: 8 ns
Tiesioginis laidumas - min: 21 S
Gaminio tipas: MOSFETs
Kilimo Laikas: 24 ns
Serija: NVMFS5832NL
Gamyklinės pakuotės kiekis: 1500
Subkategorija: Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė: 27 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė: 13 ns
Tranzistoriaus tipas: 1 N-Channel
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

NVMx & NVTx Power MOSFETs

onsemi NVMx and NVTx Power MOSFETs are AEC−Q101 Qualified and offer compact and efficient solutions for automotive applications. NVMx and NVTx Power MOSFETs offer Low RDS(on) to minimize conduction losses and low QG and Capacitance to minimize driver losses. These onsemi single N-Channel MOSFETs are housed in a compact, SO-8FL, and WDFN8 packages and are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free, and RoHS Compliant.

N-Channel 40V & 60V Automotive Power MOSFETs

onsemi NVMFSCx Automotive Power 40V and 60V MOSFETs are available in 5mm x 6mm dual-sided cooled packages ideal for compact and efficient designs. The single N-Channel devices feature 1.5mΩ and 0.9mΩ RDS(on) drain-source on-resistance to minimize conductive losses. The MOSFETs includes a wettable flank option available for enhanced optical inspection. The devices are also AEC-Q101-qualified and PPAP-capable, making them suitable for automotive applications.

NVMFS5832NL Single N-Channel Power MOSFET

onsemi NVMFS5832NL Single N-Channel Power MOSFET is a high-performance MOSFET designed for low-voltage applications requiring efficient power switching. Built on advanced trench technology, the onsemi NVMFS5832NL offers an exceptionally low RDS(on) of 4.2mΩ at VGS = 10V, enabling reduced conduction losses and improved thermal performance. With a maximum drain-source voltage of 40V and a continuous drain current rating of up to 120A, this MOSFET is ideal for demanding environments such as DC-DC converters, synchronous rectification, and motor control. The compact 5mm x 6mm Power DFN package ensures high power density and excellent thermal dissipation, while the device’s low gate charge supports fast switching for enhanced efficiency in high-frequency designs.

Įvyko netikėta klaida.


Turite klausimų? Apsilankykite pagalbos centre.
Jei turite klausimų apie konkretų užsakymą, prisijunkite prie savo paskyros.

Jei susidūrėte su papildomomis problemomis, susisiekite su mumis tel. Nr. 800-346-6873 arba el. paštu help@mouser.com.