IXYx110N120A4 1200V XPT™ GenX4™ Trench IGBTs

IXYS IXYx110N120A4 1200V XPT™ GenX4™ Trench IGBTs are high-gain IGBTs optimized for ultra-low conduction losses VCE(sat) and for switching frequencies of up to 5kHz. Thin wafer technology and improved processes enable a low gate charge QG, hence, low gate-current requirement. High gain boosts surge current capability, and the positive thermal co-efficient of VCE(sat) simplifies paralleling. The low thermal resistance of Rth(j-c) eases thermal-related design issues. 

Rezultatai: 3
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Pakuotė / Korpusas
Montavimo stilius
Configuration
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa
Didžiausia vartų emiterio įtampa
Nuolatinė kolektoriaus srovė esant 25 C
Pd - skaidos galia
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Serija
Pakavimas
IXYS IGBT PLUS247 1200V 110A GENX4
Duomenų Lapas
207Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 375 A 1.36 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS IGBT TO264 1200V 110A GENX4
Duomenų Lapas
158Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 375 A 1.36 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS IGBT SOT227 1200V 110A GENX4
Duomenų Lapas
320Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 275 A 830 W - 55 C + 175 C Trench Tube