TRENCHSTOP™ 5 IGBTs

Infineon TRENCHSTOP™ 5 IGBTs are the next generation of thin wafer IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) that feature significantly lower conduction and switching losses compared to currently leading solutions. TRENCHSTOP 5 is designed for applications where switching >10kHz. The wafer thickness has been reduced by >25%, which enables a dramatic improvement in both switching and conduction losses, while providing a breakthrough voltage of 650V. This quantum leap in efficiency opens up new opportunities for designers to explore.

Rezultatai: 39
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Pakuotė / Korpusas
Montavimo stilius
Configuration
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa
Didžiausia vartų emiterio įtampa
Nuolatinė kolektoriaus srovė esant 25 C
Pd - skaidos galia
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Serija
Pakavimas

Infineon Technologies IGBT IGBT PRODUCTS
Duomenų Lapas
244Prieinamumas
960Tikėtina 2026-03-05
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 74 A 255 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBT IGBT PRODUCTS
Duomenų Lapas
80Prieinamumas
7 960Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 74 A 250 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
Duomenų Lapas
314Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 275 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBT IGBT PRODUCTS
Duomenų Lapas
5Prieinamumas
2 880Tikėtina 2026-04-09
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 305 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBT IGBT PRODUCTS
Duomenų Lapas
568Prieinamumas
960Tikėtina 2026-03-02
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 305 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
Duomenų Lapas
340Prieinamumas
720Tikėtina 2026-03-02
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 90 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBT IGBT PRODUCTS
Duomenų Lapas
288Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 74 A 250 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBT IGBT PRODUCTS
Duomenų Lapas
697Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 74 A 250 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBT 650V IGBT Trenchstop 5
Duomenų Lapas
2 102Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.05 V - 20 V, 20 V 85 A 227 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
Duomenų Lapas
760Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 120 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBT HOME APPLIANCES
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 19 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

- 20 V, 20 V Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 19 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 274 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 S5 Tube
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 19 Savaičių
Min.: 240
Daugkart.: 240

- 20 V, 20 V Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 240
Daugkart.: 240

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube