Rezultatai: 20
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Pakavimas
Toshiba MOSFETs N-ch MOSFET, 600 V, 0.155 ohma.10V, TOLL, DTMOS?
Duomenų Lapas
1 997Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 155 mOhms 30 V 4 V 24 nC + 150 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs 600V Silicon N-Channel MOS (DTMOS) MOSFET
Duomenų Lapas
1 998Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 80 mOhms 30 V 4 V 43 nC + 150 C 211 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs N-ch MOSFET, 650 V, 0.095 O@10V, TOLL, DTMOS?
Duomenų Lapas
2 000Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 95 mOhms 30 V 4.5 V 50 nC + 150 C 230 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs N-ch MOSFET, 600 V, 0.099 O@10V, TOLL, DTMOS?
Duomenų Lapas
1 997Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 99 mOhms 30 V 4 V 36 nC + 150 C 176 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs N-ch MOSFET, 650 V, 0.115 O@10V, TOLL, DTMOS?
Duomenų Lapas
2 000Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 115 mOhms 30 V 4.5 V 42 nC + 150 C 190 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs N-ch MOSFET, 600 V, 0.125 ohma.10V, TOLL, DTMOS?
Duomenų Lapas
1 996Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 125 mOhms 30 V 4 V 28 nC + 150 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs N-ch MOSFET, 600 V, 0.063 ohma.10V, TO-247, DTMOS?
Duomenų Lapas
53Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 63 mOhms 30 V 4 V 56 nC + 150 C 242 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs TO247 650V 1.69A N-CH
Duomenų Lapas
115Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 37 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs N-ch MOSFET, 600 V, 0.08 ohma.10V, TO-220SIS, DTMOS?
Duomenų Lapas
113Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 80 mOhms 30 V 4 V 43 nC + 150 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs TO220 150V 2.2A N-CH
Duomenų Lapas
381Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 120 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs TO220 150V 2.2A N-CH
Duomenų Lapas
245Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 76 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs TO220 150V 1.4A N-CH
Duomenų Lapas
350Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 84 A 7.2 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 66 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs TO220 150V 1.4A N-CH
Duomenų Lapas
312Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 57 A 7.4 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 66 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs TO220 150V 1.1A N-CH
Duomenų Lapas
284Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 52 A 9.6 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs TO220 150V 1.1A N-CH
Duomenų Lapas
207Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 49 A 9.7 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs N-ch MOSFET, 600 V, 0.099 O@10V, TO-247, DTMOS?
Duomenų Lapas
30Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 99 mOhms 30 V 36 nC + 150 C 176 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs N-ch MOSFET, 650 V, 0.115 O@10V, TO-220SIS, DTMOS?
Duomenų Lapas
50Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 115 mOhms 30 V 4.5 V 42 nC + 150 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs N-ch MOSFET, 650 V, 0.115 O@10V, TO-247, DTMOS?
Duomenų Lapas
30Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 115 mOhms 30 V 4.5 V 42 nC + 150 C 190 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs N-ch MOSFET, 600 V, 0.125 ohma.10V, TO-220SIS, DTMOS?
Duomenų Lapas
50Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 125 mOhms 30 V 4 V 28 nC + 150 C 40 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs N-ch MOSFET, 600 V, 0.155 ohma.10V, TO-220SIS, DTMOS?
Duomenų Lapas
3Prieinamumas
150Tikėtina 2026-07-17
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 155 mOhms 30 V 4 V 24 nC + 150 C 40 W Enhancement Tube