Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

SQS850EN-T1_GE3

Name: Vishay SQS850EN-T1_GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SQS850EN-T1_GE3
Price: 1.51 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

78-SQS850EN-T1_GE3

Mfr. #:

SQS850EN-T1_GE3

Gam.:

Vishay Semiconductors

Duomenų Lapas:

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Vishay
Gaminio kategorija:	MOSFETs
RoHS:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	PowerPAK-1212-8
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	60 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	12 A
RDS On - Drain-Source Varža:	18 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 20 V, 20 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	1.5 V
Qg – vartų krūvis:	41 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pd - skaidos galia:	33 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Kvalifikacija:	AEC-Q101
Prekinis pavadinimas:	TrenchFET
Pakavimas:	Bulk
Prekės Ženklas:	Vishay Semiconductors
Configuration:	Single
Rudens laikas:	9.3 ns
Tiesioginis laidumas - min:	33 S
Gaminio tipas:	MOSFETs
Kilimo Laikas:	9.6 ns
Serija:	SQS
Gamyklinės pakuotės kiekis:	3000
Subkategorija:	Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	25 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	9 ns
Tranzistoriaus tipas:	1 N-Channel
Vieneto Svoris:	1 g