Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

TSM600NA25CIT C0G

Name: Taiwan Semiconductor TSM600NA25CIT C0G
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM600NA25CITC0G
Price: 3.9 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

821-TSM600NA25CITC0G

Mfr. #:

TSM600NA25CIT C0G

Gam.:

Taiwan Semiconductor

Aprašymas:

MOSFETs 250V, 22A, Single, N-Channel Low Voltage MOSFETs

Eksploatacijos Laikotarpis:

"Mouser Naujiena"

Duomenų Lapas:

TSM600NA25CIT C0G Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Taiwan Semiconductor TSM600NA25CIT C0G

Prieinamumas: 3 999

Turime sandėlyje:: 3 999 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 20 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	3,90 €	3,90 €
	2,60 €	26,00 €
	1,86 €	186,00 €
	1,78 €	890,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Taiwan Semiconductor
Gaminio kategorija:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	ITO-220TL-3
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	250 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	22 A
RDS On - Drain-Source Varža:	60 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 30 V, 30 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	4.2 V
Qg – vartų krūvis:	71 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	78 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Pakavimas:	Tube
Prekės Ženklas:	Taiwan Semiconductor
Configuration:	Single
Rudens laikas:	25 ns
Gaminio tipas:	MOSFETs
Kilimo Laikas:	16 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	2000
Subkategorija:	Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	78 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	16 ns
Tranzistoriaus tipas:	1 N-Channel
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai:	TSM600NA25CIT
Vieneto Svoris:	1,584 g

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

TSM600NA25CIT N-Channel Power MOSFET

Taiwan Semiconductor TSM600NA25CIT N-Channel Power MOSFET is a 250V low-voltage and single configuration MOSFET built with Trench technology. This MOSFET features a 22A continuous drain current, 60mΩ drain-source resistance, 78W power dissipation, and 71nC gate charge. The TSM600NA25CIT MOSFET offers 22pF reverse transfer capacitance and is Pb-free, halogen-free, and RoHS compliant. This power MOSFET is ideally used in Uninterruptible Power Supply (UPS), AC-DC power supply, and lighting applications.